[发明专利]带有集成部件的电压整流部件

权利要求书

1.一种电压整流器件，它包括两个交流电压输入端(BE1，BE2)采用集成技术在半导体衬底(SBS)内制造的整流装置，和两个整流后电压的输出端(BS1，BS2)，在衬底的表面取出这些输出端之一(BS1)，其特征在于：该整流装置包括一对第一类绝缘栅场效应晶体管(T1，T2)和一对第二类绝缘栅场效应晶体管(T3，T4)，第一类晶体管作为二极管来安装，它们的电极(D1，D2)之一与衬底相连，第二类晶体管分别放置在已偏压的半导体阱(CS3，CS4)中，它们的栅极连接并跨接在两个输入端上，第一和第二类晶体管具有相反类型的沟道，并且当导通时，它们的漏/源极电压低于某一预定电压。

2.权利要求1中所述的器件，其特征在于：第一类晶体管(T1，T2)把它们的漏极(D1，D2)与衬底(SBS)相连，把它们的栅极(G1，G2)与它们各自的漏极相连，与此同时，它们的源极(S1，S2)分别连接到两个输入端(BE1，BE2)。

3.权利要求1或2中所述的器件，其特征在于：第一类晶体管的沟道宽度至少等于300微米。

4.一种电压整流器件，它包括两个交流电压输入端(BE11，BE12)，采用集成技术在半导体衬底(SBS)内制造的整流装置，和两个整流后电压的输出端(BS11，BS12)，在衬底的表面取出这些输出端之一(BS11)，其特征在于：该整流装置包括一对第一类绝缘栅场效应晶体管(T11，T12)和一对第二类绝缘栅场效应晶体管(T13，T14)，第一类晶体管把它们的电极之一(漏极或源极)与衬底相连，把它们的栅极与已选定的偏置电压(VP)相连，第二类晶体管分别置于已偏压的半导体阱中，它们的栅极连接并跨接在两个输入端上，第一和第二类晶体管具有相反类型的沟道，并且当导通时，它们的漏/源电压低于某一预定电压。

5.权利要求4中所述的器件，其特征在于：第一类晶体管(T11，T12)把它们的漏极与衬底相连，把它们的源极分别与两个输入端相连。

6.权利要求5中所述的器件，其特征在于：把偏置电压(VP)选定为低于每个第一类晶体管的固有门限电压。

7.权利要求6中所述的器件，其特征在于：把偏置电压(VP)选定在几百毫伏(例如400毫伏)与等于第一类晶体管的固有门限电压减去几百毫伏(例如400毫伏)的上限这两者之间。

8.在上述权利要求之一中所述的器件，其特征在于：第二类晶体管的阱被连接到另一个输出端(BS2)。

9.在上述权利要求之一中所述的器件，其特征在于：把预定电压取为等于二极管的门限电压，例如0.7伏。

10.在上述权利要求之一中所述的器件，其特征在于：把预定电压取为等于0.6伏。

11.在上述权利要求之一中所述的器件，其特征在于：第一类晶体管是NMOS晶体管，而第二类晶体管是PMOS晶体管。