[发明专利]光刻胶的涂覆装置和涂覆方法

说明书

本发明涉及光刻中的光刻胶的涂覆装置和涂覆方法。

以前，作为半导体器件的装配技术，TAB(Tape AutomatedBonding，载带自动键合)技术已经实用化。在该技术中具有可以把半导体器件装配在柔软电路基板上，适合于大量生产，可以小型化，可以形成精密的图形等许多特征。

其中，柔软电路基板要经过许多工序进行制造。就是说，要经过在以树脂为主要材料的薄膜载带上形成铜等的金属导体层的工序、涂覆光刻胶的工序、使电路图形曝光的工序、对电路图形显影的工序、进行刻蚀使得电路图形留下来的工序、除去光刻胶的工序、以及电镀工序等来制造柔软基板。

在这些工序之内，在涂覆光刻胶的工序中，使用了图2所示的装置。

在该装置中，采用了滚涂方式。就是说，把光刻胶1通过泵3从容器2送往接受皿4。接受皿4的上边设有辊子5，使该辊子5转动，卷扬上已存放在接受皿4中的光刻胶1。此外，光刻胶1用滑动辊子6定量化并通过其上的复印辊子7涂到薄膜载带8的金属体层9的表面上。

在该装置中，泵3进行压缩动作时卷进来的空气，在管道13中变成为气泡12，与光刻胶1一起被送往接受皿4。接着，已卷进了气泡的光刻胶1被辊子5卷扬起来，并通过滑动辊子6和复印辊子7，原样不变地涂到薄膜载带8的金属体层9上。

这样一来，被涂覆的光刻胶1在卷进了气泡12的部位处常常会变薄，或者会形成针孔。

在这里，如图3A所示，如果已经正确地涂上了光刻胶1，则用其后的工序，如图3B所示，未被刻蚀而留下来的金属导体层9应变成为电路图形。但是，如图4A所示，当光刻胶1中混进了气泡12时，金属导体层9的应不被刻蚀的区域也遭受刻蚀。结果是如图4B所示，将产生图形缺口16或者图形断线17。

或者，如图4A所示，有时候容器2内的光刻胶1中混进了粉尘或树脂块等的异物15，即便是经过其后的工序，如图4B所示，异物15也将会保持附着于金属导体层9上的状态不变。

本发明就是着眼于上述问题而发明的，其目的是在光刻中涂光刻胶时，提供可以提高图形精度的光刻胶涂覆装置和涂覆方法。

(1)本发明的光刻胶的涂覆装置具有：光刻胶的贮存容器；用于形成上述光刻胶膜的涂覆台；从上述贮存容器向上述涂覆台导入上述光刻胶的管道；比上述涂覆台还处于上游，改善上述光刻胶的质量的质量改善台。

倘采用本发明，则即使在光刻胶中有气泡，或已混进了异物，在到达涂覆台之前，光刻胶的质量被改善。这样一来，由于将向涂覆台上供给其质量已被改善了的光刻胶，所以就可以进行良好的涂覆，会提高光刻中的图形精度。

(2)上述质量改善台，具有留下一部分空间流入上述光刻胶的密闭槽和使该密闭槽内的上述空间减压的真空泵，

上述光刻胶，也可以在借助于上述空间的减压抽出了气泡之后，送往上述涂覆台。

倘采用本发明，采用抽出气泡的办法，可以改善光刻胶的质量。

(3)本发明也可以在比上述密闭槽还往上游处，具有从上述贮存容器向上述密闭槽中送入上述光刻胶的泵。

倘采用这种构成，则由于在用泵送入光刻胶的时候，易于在该光刻胶中产生气泡，故用上述的密闭槽和真空泵抽出气泡是有效的。

(4)上述质量改善台，还可以含有过滤上述光刻胶的过滤器。这样的话，采用进行过滤的办法，就可以除去混入光刻胶中的异物，改善该光刻胶的质量。

(5)上述涂覆台也可以具有滚涂机构。采用具有滚涂机构的办法，可以进行由滚涂法进行的膜的形成。

(6)本发明的光刻胶的涂覆方法，是在从贮存容器到用于形成膜的涂覆台为止的位置之间，改善上述光刻胶的质量的方法。

倘采用本发明，则即使或者光刻胶中有了气泡，或者是已混入了异物，在到达涂覆台之前，光刻胶的质量将得到改善。这样一来，由于把质量已改善的光刻胶供给涂覆台，故可以得到良好的涂覆，将会提高光刻中的图形精度。

(7)在本发明中，还可以留下一部分空间把上述光刻胶供给到密闭槽中，并在上述密闭槽内对上述空间进行减压，抽出混入上述光刻胶中的气泡，改善上述光刻胶的质量。

倘采用这种构成，则可以把无气泡的光刻胶供给涂覆台。

(8)在本发明中，还可以在比上述密闭槽还往上游处，用泵从上述贮存容器向上述密闭槽内送入上述光刻胶。

倘采用这种构成，则由于在用泵送入光刻胶时易于在光刻胶中产生气泡，故使上述密闭容器内的空间减压来除去气泡是有效的。

(9)在本发明中，还可以采用对上述光刻胶进行过滤的办法，改善上述光刻胶的质量。