[发明专利]热敏打印头、相应的制造方法、记录装置、烧结体及靶

权利要求书

1.一种热敏打印头，其特征在于，备有：

支撑基体；

配置在上述支撑基体上的发热电阻体；

与上述发热电阻体连接的电极；以及

将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶、通过溅射形成了被覆在上述发热电阻体及上述电极上的保护层。

2.一种热敏打印头，其特征在于，备有：

支撑基体；

配置在上述支撑基体上的玻璃釉层；

将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，通过溅射而在上述玻璃釉层上形成的发热电阻体底层；

配置在上述支撑基体上的发热电阻体；

与上述发热电阻体连接的电极；以及

将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶，通过溅射形成了被覆在上述发热电阻体及上述电极上的保护层。

3.根据权利要求1所述的热敏打印头，其特征在于：在上述支撑基体和上述电极之间还备有玻璃釉层。

4.根据权利要求1或2所述的热敏打印头，其特征在于：上述粉状体含有的氧化镁的平均粒径为0.1～0.5微米。

5.根据权利要求1或2所述的热敏打印头，其特征在于：上述粉状体含有0.01～5.0％重量的氧化镁。

6.根据权利要求1或2所述的热敏打印头，其特征在于：上述粉状体含有0.1～0.5％重量的氧化镁。

7.根据权利要求1或2所述的热敏打印头，其特征在于：上述保护层含有0.01～3.0％原子的镁。

8.根据权利要求2所述的热敏打印头，其特征在于：上述发热电阻体底层含有0.01～3.0％原子的镁。

9.根据权利要求1或2所述的热敏打印头，其特征在于：上述 保护层具有可以用SiMg_xN_yO_z(0.01≤x≤1.5、0.1≤y≤3.0、0.1≤z≤2.0)表示的组成。

10.根据权利要求2所述的热敏打印头，其特征在于：上述发热电阻体底层具有可以用SiMg_xN_yO_z(0.01≤x≤1.5、0.1≤y≤3.0、0.1≤z≤2.0)表示的组成。

11.一种热敏打印头的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

将发热电阻体配置在支撑基体上的工序；

将电极连接在上述发热电阻体上的工序；以及

将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射、将上述发热电阻体及上述电极被覆起来的工序。

12.一种热敏打印头的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

通过玻璃釉层将发热电阻体配置在支撑基体上的工序；

将电极连接在上述发热电阻体上的工序；以及

将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射、将上述发热电阻体及上述电极被覆起来的工序。

13.一种热敏打印头的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射、通过玻璃釉层在支撑基体上形成发热电阻体底层的工序；

将发热电阻体配置在上述发热电阻体底层上的工序；

将电极连接在上述发热电阻体上的工序；以及

将含有氮化硅、二氧化硅及平均粒径在1.0微米以下的氧化镁的粉状体的烧结体作为靶进行溅射、将上述发热电阻体及上述电极被覆起来的工序。

14.根据权利要求11至13任一项所述的热敏打印头的制造方法，其特征在于：上述粉状体含有的氧化镁的平均粒径为0.1～0.5微米。

15.根据权利要求11至13任一项所述的热敏打印头的制造方法，其特征在于：上述粉状体含有0.01～5.0％重量的氧化镁。

16.根据权利要求11至13任一项所述的热敏打印头的制造方法，其特征在于：上述粉状体含有0.1～0.5％重量的氧化镁。