[发明专利]制造半导体封装的方法

权利要求书

1．一种制造半导体芯片封装的方法，其特征在于以下步骤：

制备消耗层；

在消耗层的第一表面上选择性地形成导电焊接区阵列，从而由这些焊接区来限定中央区；

把半导体芯片的背面附加到中央区以内的消耗层，从而芯片的触点承载表面与消耗层分开；

把每个触点电气连接到各个焊接区；

在消耗层的第一表面上淀积可固化的介电材料，从而把焊接区、电气连线和芯片都密封起来，并固化此介电材料；以及

选择性地除去消耗层的至少一部分。

2．如权利要求1所述的方法，其特征在于使用同一消耗层同时制造多个半导体芯片封装，该方法还包括在选择性地除去步骤后分割至少一些封装的步骤。

3．如权利要求2所述的方法，其特征在于分割步骤提供了多个独立的芯片封装。

4．如权利要求2所述的方法，其特征在于分割步骤提供包括至少两个芯片的多个芯片模块。

5．如权利要求1所述的方法，其特征在于在焊接区形成步骤前除去部分消耗层的步骤，从而在消耗层内产生多个凹坑，焊接区形成步骤还包括在各个凹坑内形成导电焊接区，从而导电焊接区材料基本上把填满每个凹坑。

6．如权利要求5所述的方法，其特征在于除去部分消耗层的步骤包括对消耗层进行选择性地蚀刻。

7．如权利要求5所述的方法，其特征在于焊接区形成步骤还包括在凹坑内形成第一导电凸起的步骤，从而每个焊接区整体地连接到各个凸起并从中突出，每个凸起具有延伸到焊接区的宽度或直径以外的凸缘部分。

8．如权利要求7所述的方法，其特征在于焊接区形成方法包括在每个焊接区的顶部整体地形成第二导电凸起。

9．如权利要求8所述的方法，其特征在于第一和第二凸起以及焊接区的整体组合是铆钉形状的。

10．如权利要求1所述的方法，其特征在于焊接区以围绕中央区的网格阵列排列。

11．如权利要求10所述的方法，其特征在于焊接区形成步骤还包括形成离消耗层不同高度的焊接区的步骤。

12．如权利要求10所述的方法，其特征在于至少一些焊接区具有未被介电材料完整密封的导电突起。

13．如权利要求12所述的方法，其特征在于导电突起基本上与芯片的触点承载表面正交地延伸。

14．如权利要求1所述的方法，其特征在于焊接区形成步骤还包括在消耗层和导电焊接区之间放置基底材料从而焊接区在基底材料上形成并由该材料来支撑的步骤。

15．如权利要求14所述的方法，其特征在于以下步骤，即穿过固化的介电材料钻孔，从而孔的侧壁从顶面穿通封装延伸到底面而产生穿通至少一些导电焊接区的通孔，以及对孔的侧壁进行金属化。

16．如权利要求15所述的方法，其特征在于以导电材料填充金属化孔的步骤。

17．如权利要求15所述的方法，其特征在于孔的侧壁基本上与芯片的触点承载表面正交。

18．如权利要求10所述的方法，其特征在于附加步骤还包括把微电子元件附加到芯片的触点承载表面的步骤，电气连接步骤还包括把该元件上的触点连接到各个焊接区。

19．如权利要求18所述的方法，其特征在于该元件包括第二半导体芯片，附加步骤还包括把第二芯片的背面附加到第一芯片的触点承载表面。

20．如权利要求18所述的方法，其特征在于电气连接步骤还包括把该元件上的至少一个触点连接到芯片上的各个触点。

21．如权利要求4所述的方法，其特征在于使特定模块内与第一芯片相连的至少一些焊接区与同第二芯片相连的焊接区电气连接的步骤。

22．如权利要求21所述的方法，其特征在于在焊接区形成步骤前把片状介电层置于消耗层的第一表面顶上的步骤，把第一芯片的焊接区电气连接到第二芯片的焊接区的步骤包括在介电层上提供使各个焊接区互连的导电迹线。