[发明专利]晶片级老化和测试

权利要求书

1．对位于半导体晶片上的多个半导体器件(DUT)进行晶片级老化和测试的方法，其特征在于包括；

提供多个有源电子元件，其表面上具有端子；以及

提供在多个DUT的端子和有源电子元件的端子之间实行直接电气连接的装置。

2．如权利要求1所述的方法，其特征在于：

有源电子元件的端子是俘获焊接区。

3．如权利要求2所述的方法，其特征在于还包括：

加固所述俘获焊接区。

4．如权利要求1所述的方法，其特征在于：

电子元件的端子为俘获特征。

5．如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在DUT的数目和有源电子元件的数目之间存在1∶1的比例。

6．如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在DUT的数目和有源电子元件的数目之间存在至少2∶1的比例。

7．如权利要求1所述的方法，其特征在于：

用于实行直接电气连接的装置是安装到DUT的弹性接触元件。

8．如权利要求1所述的方法，其特征在于：

用于实行直接电气连接的装置是安装到有源电子元件的弹性接触元件。

9．如权利要求1所述的方法，其特征在于：

有源电子元件是ASIC。

10．如权利要求1所述的方法，其特征在于还包括：

把有源电子元件安装到互连衬底。

11．如权利要求10所述的方法，其特征在于还包括：

提供主控制器；以及

经由互连衬底把主控制器连到有源电子元件。

12．如权利要求11所述的方法，其特征在于还包括：

在从主控制器到互连衬底以及从互连衬底到有源电子元件的极少公共线上提供用于测试DUT的测试信号。

13．如权利要求12所述的方法，其特征在于还包括：

选择性地激励有源电子元件，从而选择性地老化和测试选择的一些DUT。

14．如权利要求10所述的方法，其特征在于还包括：

提供电源；以及

经由互连衬底把电源连到有源电子元件。

15．如权利要求14所述的方法，其特征在于还包括：

在有源电子元件中提供稳压。

16．如权利要求1所述的方法，其特征在于还包括：

在对DUT进行老化时，保持有源电子元件的温度低于DUT的温度。

17．对位于半导体晶片上的多个半导体器件(DUT)进行晶片级老化和测试的系统，其特征在于包括：

其上安装有多个独立的有源电子元件的测试衬底；以及

置于有源电子元件上的装置，所述装置适用于接收来自位于半导体晶片(WUT)上的多个半导体器件(DUT)的直接连接。

18．如权利要求17所述的系统，其特征在于用于接收直接连接的装置包括：有源电子元件上的俘获焊接区，其中直接连接由安装到DUT的弹性接触元件来实行并适用于与俘获焊接区形成压力连接。

19．如权利要求17所述的系统，其特征在于用于接收直接连接的装置包括：有源电子元件上的俘获特征，其中直接连接由安装到DUT的弹性接触元件来实行并适用于与俘获特征形成压力连接。

20．如权利要求17所述的系统，其特征在于还包括：

在DUT和有源电子元件之间直接延伸的多个互连元件。

21．如权利要求20所述的系统，其特征在于：

互连元件从DUT处的细小间距扇形发散到有源电子元件处更粗的间距。

22．如权利要求20所述的系统，其特征在于：

互连元件被安装到DUT。

23．如权利要求20所述的系统，其特征在于：

互连元件被安装到有源电子元件。

24．如权利要求20所述的系统，其特征在于：

互连元件是弹性接触元件。