[发明专利]晶片级老化和测试

说明书

相关申请的交叉引用

本专利申请是与95年5月26日提交的08/452,255号审查中美国专利申请(以下称“PATENT CASE”)及其拷贝95年11月13日提交的US95/14909号PCT专利申请共有的继续部分，这两个专利申请都是94年11月15日提交的08/340,144号审查中美国专利申请及其拷贝94年11月16日提交的PCT专利申请共有的继续部分，这两个申请是与93年11月16日提交的08/152,812号审查中专利申请(现在为USP 5,476,211,19 Dec 95)共有的继续部分，所有的申请都在这里参考引用。

本专利申请也是以下共有的审查中美国专利申请的继续部分：

95年9月21日提交的08/526,246(PCT/US95/14843,13 NOV 95)；

95年10月18日提交的08/533,584(PCT/US95/14842,13 NOV 95)；

95年11月9日提交的08/554,902(PCT/US95/14844,13 NOV 95)；

95年11月15日提交的08/558,332(PCT/US95/14845,15 NOV 95)；

95年12月18日提交的08/573,945(PCT/US96/07924,24 MAY 96)；

96年2月15日提交的08/602,179(PCT/US96/08328,28 MAY 96)；

96年2月21日提交的60/012,027(PCT/US96/08117,24 MAY 96)；

96年2月22日提交的60/012,040(PCT/US96/08275,28 MAY 96)；

96年3月5日提交的60/012,878(PCT/US95/08274,28 MAY 96)；

96年3月11日提交的60/013,247(PCT/US95/08276,28 MAY 96)；

96年5月17日提交的60/005,189(PCT/US95/08107,24 MAY 96)，所有的这些申请(除了先前提出的申请以外)都是上述PARENT CASE的继续部分，所有的这些申请都被参考引用。

本专利申请也是以下共有的审查中美国专利申请的继续部分：

Khandros和Pedersen于96年11月13日提交的60/030,697；以及

Khandros和Pedersen于96年12月13日提交的60/-tbd-。

技术领域

本发明涉及老炼(exercise)半导体器件，尤其涉及对半导体器件进行测试和老化以识别确优芯片(KGD)，尤其是，还涉及老炼晶片级的半导体器件(把它们从晶片上分离或“切块”前)。

背景技术

通过在硅晶片上进行诸如蚀刻、掩蔽、淀积等一长串工艺步骤来制造从微处理器到存储器芯片等半导体器件。典型的硅晶片具有直径为六英寸或更大的晶片形状。把一般相同的许多半导体器件放置成规则的矩形阵列，而在单个硅晶片上制造这些器件。在晶片上的相邻半导体器件之间设置切割线(划线道)。最后，通过沿划线道锯开而把这些器件从晶片上分离。

由于晶片的缺陷或在一个或多个处理步骤中的缺陷，使得某些半导体器件不能执行所设计的功能，这些缺陷可能在最初时显现出来，或者也可能在器件操作了一段持续的时间后才明显起来。于是，在一段持续时间内对器件进行测试和通电老炼以便确认哪些器件是好哪些器件是坏的是很重要的。

通常，只在半导体器件从晶片上分离(分开)且经过另外一长串“收尾”工艺步骤(其中，把这些器件装配成最终的“封装”形式)后才老炼这些器件(老化和测试)。

从“总”的方面来看，已有技术的典型“收尾”工艺流程图如下(从晶片制造开始)：

晶片挑选#1；

激光修复；

晶片挑选#2；

晶片锯开；

封装组件步骤，诸如小片连接、丝焊接、密封、引线微调和形成、引线电镀；

电学测试；

老化；

电学测试；以及

对产品作标记和运送。