[实用新型]真空微电子气体传感器无效
申请号: | 97235628.2 | 申请日: | 1997-04-01 |
公开(公告)号: | CN2282680Y | 公开(公告)日: | 1998-05-27 |
发明(设计)人: | 刘锦淮;张耀华;李明强;张正勇;焦正;张蓉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥智能机械研究所 |
主分类号: | G01D5/42 | 分类号: | G01D5/42 |
代理公司: | 中国科学院合肥专利事务所 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 230031*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 微电子 气体 传感器 | ||
本实用新型涉及气体传感器技术。
已有的半导体气体传感器,以其灵敏度高,响应和恢复快,制作工艺简单,价格便宜等优点,被广泛应用在军事、工业、农业以及环境等领域。但已有的半导体气体传感器还存在一些缺点,如:气体选择性差,在被测气氛中受环境气氛的温度、成份,湿度和气压等因素的影响,使得其稳定性和可靠性都不理想。
本实用新型的目的,就是提供一种既有好的稳定性,又有好的可靠性和选择性的,真空微电子气体传感器。
真空微电子器件具有快速响应,开关速度和工作频率高,抗辐射能力强,对高、低温不敏感的特性。
本实用新型就是将真空微电子技术应用于气体检测。
下面结合附图,对本实用新型说明之。
附图1是本实用新型的结构剖视图。
图中:1、光敏探测器;2、受激辐射光;3、电极(正极);4、氧化硅(SiO2);5、电极(负极);6、离子化气室;7、硅衬底;8、玻璃薄片;9、阴极发射尖端;10、单晶硅体。
本实用新型的结构如附图1所示,是在硅衬底(7)上有一层负电极(5),在其上是一层氧化硅(SiO2)(4);在氧化硅(4)上是一层单晶硅体(10),在其中间有一低真空离子化气室(6);在离子化气室(6)中有阴极发射尖端(9);在离子化气室(6)的上面是玻璃薄片(8),在玻璃薄片(8)的底面有一层梳状正电极(3)。光敏探测器(1)放置在玻璃薄片(8)的上方。
在离子化气室(6)中充上微量待测气体,如H2、CO2、CO等,在正负电极(3)、(5)两端加电场,这样阴极发射尖端(9)产生高压离子放电。因离子化气室(6)中有待测气体,受激后辐射离子光(2),这一光信号被光敏探测器(1)接收。
在检测气体时,环境中待测气体吸收受激辐射光(2),引起光强度的变化,使光敏探测器有信号变化,便可推知所测环境中有无待测气体。
本实用新型的优点是,体积小(100×100μm),功耗小,节约能源,制作简单,选择性好,可靠性高,抗干扰能力强,抗辐射能力强,受环境温度影响小,检测精度高,性能稳定。
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