[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件，其特征在于它包括：

具有一元件区及源极和漏极区的一半导体基片；

在所述半导体基片的所述元件区中形成的含有氮的一栅介质膜；

在所述栅介质膜上形成的一栅极；

邻近所述栅极形成的以便于确定其侧壁的一第一介质膜；

形成的以便于覆盖所述栅极和所述第一介质膜的一第二介质膜，所述第二介质膜是掺杂氮的；

形成的以便于覆盖所述第二介质膜的一第三介质膜，所述第三介质膜是氮化硅构成的。

2、根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第一介质膜是掺杂氮的。

3、根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于所述第一介质膜是氮化硅构成的。

4、一种用于制造半导体器件的方法，其特征在于它包括步骤：

制备具有由绝缘区所确定的一元件区的一半导体基片；

在所述元件区上顺序地形成一含氮栅氧化层和一导电膜，并使所述膜经受选择刻蚀以形成一栅极；

在所述栅极上完整地形成一第一介质膜并完成一各向异性刻蚀以仅在所述栅极的侧壁留下所述第一介质膜；

注入杂质到半导体基片中以形成源极和漏极区；

形成一第二介质膜以便于盖住至少所述栅极、所述第一介质膜和所述源极及漏极区；

将氮离子注入所述第二介质膜；

在所述第二介质膜上形成一氮化硅膜。

5、根据权利要求4所述的方法，其特征在于形成氮化硅膜的步骤包括用低压化学汽相沉积工艺的方式形成所述氮化硅膜。

6、根据权利要求4所述的方法，其特征在于形成一第一介质膜的所述步骤包括用化学汽相淀积工艺的方式形成一硅氧化膜。