[发明专利]具有铁电存储电容器的半导体存储器件

权利要求书

1、一种形成在半导体基片上的具有存储单元的半导体存储器件，其特征在于：

每个所述的存储单元包括一形成在所述基片上的选择晶体管和通过第一夹层绝缘层在所述基片上形成的用于电荷存储的存储电容器；

每个所述存储电容器都具有一下部电极、一上部电极及被所述下部和上部电极所夹的电介质；

所述半导体存储器件包含：

(a)由在所述第一夹层绝缘层上形成的的被加工图形的共用导电层形成的所述下部电极；

(b)具有在矩阵阵列的行和列中规则设置的第一组多个窗口的所述共用导电层；

(c)由在所述共用导电层上形成的被加工图形的共用铁电层形成的所述电介质；

所述共用铁电层整体地与所述共用导电层重叠；

所述共用铁电层具有与所述共用导电层的所述第一组多个窗口相重叠的第二组多个窗口；

(d)被规则地设置在所述共用铁电层上的所述上部电极；

所述上部电极位于所述矩阵列的所述行和列的外部，其中所述共用导电层的所述第一组多个窗口与所述共用铁电层的所述第二组多个窗口对齐；及

(e)布线线路通过盖住所述存储电容器的第二夹层绝缘层形成在所述上部电极上方；

所述布线线路通过穿过所述第二夹层绝缘层的第一组多个连接孔与所述上部电极电连接；

所述布线线路通过所述共用铁电层的第二组多个窗口、所述共用导电层的所述第一组多个窗口及穿过所述第二和第一夹层绝缘层的第二组多个连接孔与所述选择晶体管电连接；

2、根据权利要求1所述的器件，其特征在于其中所述下部电极的所述第一组的多个窗口中的每一个具有封闭的外形，且所述电介质的所述第二组多个窗口中的每一个具有封闭的外形。

3、根据权利要求2所述的器件，其特征在于其中所述第一组多个窗口的所述封闭外形与所述第二组多个窗口的所述封闭外形相同。

4、根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述布线线路斜向地向所述行及列延伸，且其中所述第二和第一组的多个窗口是对齐的。

5、根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述下部电极的所述第一组多个窗口的每一个具有沿所述行或列延伸的线形形状，其中所述第二组和第一组多个窗口是对齐的，且所述介质的所述第二组多个窗口的每一个具有与所述第一组多个窗口完全重合的线形形状。

6、一种形成在半导体基片上的具有存储单元的半导体存储器件；其特征在于：

每个所述存储单元包括一个形成在所述基片上的选择晶体管和一个通过一第一夹层绝缘层形成在所述基片上方用于电荷存储的存储电容器；

每个所述存储电容器具有一下部电极、一上部极及一被所述下部和上部电极所夹的电介质；

所述半导体存储器件包含：

(a)通过形成在所述第一夹层绝缘层上的被加工图形的共用导电层形成的所述下部电极；

(b)所述共用导电层具有第一组多个规则设置在矩阵阵列的行与列中的窗口；

(c)由形成在所述共用导电层上的被加工图形的共用铁电层形成的电介质；

所述共用铁电层与所述共用导电层完全重合；

所述共用铁电层具有与所述共用导电层的所述第一组多个窗口重合的第二组多个窗口；

(d)所述上部电极规则设置在所述共用铁电层上；

所述上部电极位于所述矩阵阵列的所述行或列中，其中所述共用导电层的所述第一组多个窗口和所述共用铁电层的所述第二组多个窗口对齐；及

(e)布线线路通过盖住所述存储电容器的第二夹层绝缘层形成在所述上部电极上方；

所述布线线路通过穿过所述第二夹层绝缘层的第一组多个连接孔与所述上部电极电连接；

所述布线线路通过所述共用铁电层的所述第二组多个窗口、所述共用导电层的所述第一组多个窗口及穿过所述第二和第一夹层绝缘层的第二组多个连接孔与所述选择晶体管电连接；

7、根据权利要求6所述的器件，其特征在于所述下部电极的所述第一组多个窗口的每一个具有封闭的外形，且所述电介质的所述第二组多个窗口的每一个具有封闭的外形。

8、根据权利要求7所述的器件，其特征在于其中所述第一组多个窗口的所述封闭外形与所述第二组多个窗口的所述封闭外形相同。