[发明专利]隐性重离子核径迹防伪标识的制造方法及其制品无效
申请号: | 98101032.6 | 申请日: | 1998-03-18 |
公开(公告)号: | CN1229225A | 公开(公告)日: | 1999-09-22 |
发明(设计)人: | 朱天成;陈大年;刘宣玮;胡兵 | 申请(专利权)人: | 朱天成;陈大年;刘宣玮;胡兵 |
主分类号: | G09F3/00 | 分类号: | G09F3/00 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 吴秉芬 |
地址: | 102413 北京市28*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隐性 离子 径迹 防伪 标识 制造 方法 及其 制品 | ||
本发明涉及防伪标识,特别是防伪商标的制造方法及其产品,更具体地说,是涉及使用重离子技术来制造防伪标识的方法及其制品。
近年来,一项在国外流行多年的重离子平板印刷术正在我国商标、企业标识等防伪领域中得到应用,给商品市场的打击假冒活动,维护优秀企业的声誉起到了一定的作用。
但是,由于这种由重离子方法所获得的防伪标识制品仍是显性的。也就是说,这种防伪标识是用肉眼可见的。防伪商标或标识的可见性,给不法分子伪造、仿冒防伪标识提供了可乘之机。不法分子可用机械方法,化学方法或其他方法来伪冒所见的显性防伪标识。
本发明的目的在于提供一种新的防伪标识的制造方法及一种由该方法所制得的隐性防伪标识。
具体地说,本发明的防伪标识制造方法,由以下几个步骤所组成:
1).用具有一定能量和一定质量的重离子对透明的高分子聚合膜进行电离辐照;
2)用紫外光透过一个防伪标识模板对电离辐照后的高分子聚合膜进行氧化照射;
3)用化学蚀刻液对经氧化照射的高分子聚合膜进行化学蚀刻;
4).中和、清洗和干燥经化学蚀刻后的高分子聚合膜,得到所要的防伪标识。
在本发明的制造防伪标识品的方法中,所用的透明高分子聚合物的厚度可为5-40μn,最好为10-20μm之间。
在本发明的制造防伪标识品的方法中,所用的电离辐照时间在给定了所要求的核径迹密度以后与重离子的能量和质量有关。所要求的核径迹密度在104-108个/cm2之间。
在本发明的制造防伪标识品的方法中,在电离辐照时可用不同的入射角进行辐照。
在本发明的制造防伪标识品的方法中,所用的紫外照射时间在5-60分之间。所用的防伪标识模板是根据所要保护的商标或标识的图文样采用激光扫描法精制而成的。
在本发明的制造防伪标识品的方法中,在化学蚀刻中所用的化学蚀刻液为碱性的或酸性的,例如其主要成分可为NaOH,NaOH蚀刻液的浓度在4N-8N之间;化学蚀刻时所用的温度在50-80℃之间。
在本发明的制造防伪标识品的方法中,所用的重离子可以是重离子发生器所产生的重离子,可以是由核裂变所产生的重离子,也可以是自发核裂变源产生的重离子。
应用本发明的制造防伪标识品的方法不仅保留了用重离子手段制造防伪商标或标识的方法的造价低廉、生产率高、便于自动化的优点。而且具有一个用其他的方法不能得到的独特的特点,这个特点就是:用本发明方法所制得的防伪标识品是一种隐性防伪标识。它从正面看是完全没有任何图案的,只有当倾斜在一定的角度下可以看到。
由于本发明方法所得的产品的隐性特性,使得本发明方法所得到的产品无法用机械或化学方法来伪冒。从而可以更好表明所保护的物品的真实性,更好地维护著名商标和著名企业的声誉。
下面简单地介绍一下本发明方法的基本原理。
当重离子(或带电粒子)辐射照在高分子聚合物绝缘薄膜上时,在介质内部沿重离子前进的轨迹上产生狭窄的原子尺寸的剧烈的电离损伤,损伤区的半径大约在10,其图象是看不到的,称为潜存径迹。选择碱性或酸性化学蚀剂处理受照薄膜,使潜存径迹扩大到亚微米和微米量级。化学蚀剂有选择地蚀去受过辐射电离损伤的介质,但不会同时蚀去重离子轨迹周围未受损伤的基质,从而在介质内产生孔洞:核径迹或核微孔。在一般的光学显微镜和扫描电子显微镜中,人们可以观测到核径迹或核微孔。
核微孔或核径迹在透明聚合物膜上的分布是服从统计规律的。重孔几率是孔隙率的函数。在一定的径迹密度下,孔隙率又是孔径的函数。在重离子辐射曝光阶段可以设置径迹密度密码。由于聚酯等聚合物对重离子(Z>10)的探测率为100%,故重离子面密度(个/CM2)等于核径迹密度。重离子密度密码设置以后,将受辐照膜置于紫外光氧化器下进行第二次曝光。在二次曝光时,准直紫外线光源与受照膜之间设置防伪标识图文模板。只允许紫外光通过模板的空档部位。受紫外线光降解作用的潜存径迹在化学蚀刻过程中首先显影而呈现标识图文的面貌。核微孔直径大小的增长速度与紫外光线光照强度和和化学蚀刻条件有关。
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