[发明专利]半导体集成电路及用于补偿其器件性能变化的方法

权利要求书

1、一种补偿半导体集成电路的器件性能变化的方法，其特征在于包含如下步骤：

将用于执行半导体集成电路功能的载有MOS FET_s的芯片划分为多个区域；及

将向MOS FET_s提供稳定电源以补偿MOS FET_s的阈值电压变化的性能变化补偿电路组合到各个被划分的区域中，从而使组合有性能变化补偿电路的区域中的器件性能变化将通过所述性能变化补偿电路而得到补偿。

2、一种补偿半导体集成电路的器件性能变化的方法，其特征在于包含如下步骤：

将用于执行半导体集成电路功能的载有MOS FET_s的芯片的芯片划分为多个区域；及

将向MOS FET_s提供稳定电源来补偿MOS FET_s的阈值电压变化的性能变化补偿电路仅组合到那些对所述芯片的性能影响较大的被划分的区域中，从而在这些组合有性能变化补偿电路的区域中的器件性能变化将通过所述性能变化补偿电路而得到补偿。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的划分步骤还包含将所述芯片划分为具有相等面积的区域的步骤。

4、根据权利要示1所述的方法，其特征在于所述划分步骤包含划分芯片的步骤，该步骤使在所述芯片上被划分的区域具有包含它们各自的逻辑电路的功能块。

5、根据权利要示1所述的方法，其特征在于所述划分步骤包含划分芯片的步骤，该步骤使每个区域具有高电势电源、高电势衬底电源、低电势衬底电源、及低电势电源中的至少其中一个，并与其它区域中的互连隔开。

6、根据权利要示2所述的方法，其特征在于所述划分步骤包含将所述芯片划分为具有相等面积的区域的步骤。

7、根据权利要示2所述的方法，其特征在于所述划分步骤包含划分芯片的步骤，以使在所述芯片上被划分的区域包含逻辑电路的各自的功能块。

8、根据权利要示2所述的方法，其特征在于所述划分步骤包含划分芯片的步骤，该步骤使每个区域都具有高电势电源、高电势衬底电源低电势衬底电源及低电势电源的互连中的至少一个，且其与其它区域中的互连相分隔。

9、根据权利要示2所述的方法，其特征在于所述组合性能变化补偿电路的步骤包含将性能变化补偿被组合入那些具有一定数目的栅极分极及包括其信号传送延迟决定所述芯片的性能的关键路径的区域。

10、一种半导体集成电路，其特征在于包含：

一载有MOS FET_s用地执行半导体集成电路功能的芯片，所述芯片被划分为多个区域；及

被分别组合在所有所述被划分的区域的性能变化补偿电路用于向MOS FET_s提供稳定电源，以分别补偿MOS FET_s的阈值电压的变化。

11、一种半导体集成电路，其特征在于包含：

一载有MOS FET_s用有执行半导体集成电路功能的芯片，所述芯片被划分为多个区域；及

向那些对所述芯片的性能影响大的区域组合的性能变化补偿电路用于向MOS FET_s提供电源来补偿MOS FET_s的阈值电压的变化。

12、根据权利要求10所述的半导体集成电路，其特征在于所述芯片被划分为具有相等面积的区域。

13、根据权利要求10所述的半导体集成电路，其特征在于所述芯片被划分，从而使所述芯片上的被划分的区域包含它们各自功能块的逻辑电路。

14、根据权利要求10所述的半导体集成电路，其特征在于所述芯片被划分，使每个区域与其它区域中的互连分隔的至少具有高电势电源、高电势衬底电源，低电势衬底电源及低电势电源的互连接中的一个。

15、根据权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于所述芯片被划分为具有相等面积的区域。

16、根据权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于所述芯片被划分，为使所述芯片上的被划分的区域包含它们各自的功能块逻辑电路。