[发明专利]集成电路的测试方法与装置无效
申请号: | 98103705.4 | 申请日: | 1998-01-26 |
公开(公告)号: | CN1190255A | 公开(公告)日: | 1998-08-12 |
发明(设计)人: | 伯纳德J·佩帕特;克拉克·谢泼德;艾尔弗雷德·拉里·克劳奇;罗伯特·阿什 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/28 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 测试 方法 装置 | ||
1一个圆片,具有以下特征:
一个集成在圆片第一部分上的第一芯片;并且
一个集成在圆片第二部分上的第一监测电路,其中圆片的第二部分与第一部分分开,第一监测电路进行验证第一芯片预定工作的第一测试工作;
其中第一测试工作测量第一芯片流出的电流。
2一个测试系统,具有以下特征:
一个集成在圆片第一部分上的第一芯片;
一个集成在圆片第二部分上的监测电路,其中圆片的第二部分与第一部分分开,监测电路进行验证第一芯片预定工作的测试工作;以及
一个与第一芯片和监测电路连接的测试器件,有选择地使监测电路进行验证第一芯片预定功能的测试工作;
其中圆片的第二部分集成在圆片的一次性部分上。
3一个进行测试工作的方法,具有以下几个步骤的特征:
将第一芯片集成在圆片的第一部分上;
将一个监测电路集成在圆片的第二部分上,其中圆片的第二部分与圆片的第一部分分开;并且
使监测电路能够进行验证第一芯片预定工作的测试工作。
4一个数据处理器,具有以下特征:
提供状态控制信号表示数据处理器何时工作在第一工作状态和第二工作状态的控制方式;以及
一个接收状态控制信号具有控制方式的输出缓冲器,并且该输出缓冲器得到已知的工作电压,当状态控制信号显示数据处理器工作在第一种工作状态时,输出缓冲器的一个部分向外部提供一个信号,而当状态控制信号显示数据处理器工作在第二种工作状态时,输出缓冲器的这一部分移去提供给数据处理器的已知工作电压。
5测试数据处理器的方法,具有以下几个步骤的特征:
在输出缓冲器上得到一个已知的工作电压;
采用状态控制电路提供状态控制信号来表明数据处理器何时工作在第一工作状态和第二工作状态下;
当状态控制信号表明数据处理器在第一种工作状态下工作时使输出缓冲器的一部分向外部提供一个信号;
当状态控制信号表明数据处理器在第二种工作状态下工作时使输出缓冲器的这一部分移去提供给数据处理器的已知工作电压。
6一个用来测试半导体圆片的器件,具有以下特征:
用于将第一电信号传递给集成在半导体圆片第一部分上的集成电路芯片的电导线的第一布局;以及
用于将第二电信号传递给集成在半导体圆片第二部分上的测试电路芯片的电导线的第二布局;其中半导体圆片的第二部分与半导体圆片的第一部分分开,而且其中电导线的第二布局传递第二电信号与第一电信号的传递实质上是同时发生的。
7一个圆片,具有以下特征:
一个提供输入激励的图案产生器,此图案产生器集成在圆片的第一部分上;
一个与图案产生器连接来接收输入激励的被测电路,被测电路提供一个是输出激励的确定函数的输出,被测电路集成在圆片的第二部分上,其中圆片的第二部分与圆片的第一部分分开;以及
一个与被测电路连接来接收输出的特征分析器,特征分析器验证输出是否正确的,特征分析器集成在圆片的第二部分上。
8一个圆片,具有以下特征:
至少一块芯片;以及
至少一块芯片之外的电流监测器,该电流监测器有一个电压控制的电流开关,电流监测电路进行验证至少一块芯片预定工作的第一测试工作。
9一块芯片具有以下特征:
一个集成电路;
一个具有电压控制的电流开关的电流监测电路,电流监测电路进行验证集成电路预定工作的第一测试工作;以及
一个激励产生器,此激励产生器提供一组内部的测试信号给集成电路。
10一个在含有第一芯片的圆片上进行测试工作的方法,此方法具有以下几个步骤的特征:
给位于圆片上并与第一芯片分开的时钟产生器提供至少一个第一频率的控制信号;
时钟产生器以第二频率向第一芯片提供时钟信号;
使激励产生器向第一芯片提供测试信号;
使电流监测电路进行验证第一芯片预定工作的测试工作;以及
监测对测试信号的响应;
其中激励产生器和电流监测电路都位于圆片上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造