[发明专利]阻挡层及其制造方法

权利要求书

1．一种阻挡层，包括：

一半导体基底，所述半导体基底上已设有一传导层；

一介电层，形成于所述传导层与所述半导体基底上，且在所述介电层中有一开口，所述开口露出所述传导层；

一第一阻挡层，形成于所述开口中以及周缘，所述第一阻挡层中含有硅；以及

一第二阻挡层，形成于所述第一阻挡层上。

2．如权利要求1所述的阻挡层，其中所述传导层包括晶体管的源极/漏极区。

3．如权利要求1所述的阻挡层，其中所述传导层为金属线。

4．如权利要求1所述的阻挡层，其中所述介电层包括低介电系数的有机介电层。

5．如权利要求1所述的阻挡层，其中所述介电层包括二氧化硅介电层。

6．如权利要求1所述的阻挡层，其中所述第一阻挡层包括掺杂的硅层。

7．如权利要求1所述的阻挡层，其中所述第一阻挡层的厚度在约0埃到约300埃之间。

8．如权利要求1所述的阻挡层，其中所述第二阻挡层包括钛/氮化钛层。

9．如权利要求1所述的阻挡层，其中所述第二阻挡层包括氮化钨。

10．如权利要求1所述的阻挡层，其中所述第二阻挡层包括钽。

11．如权利要求1所述的阻挡层，其中所述第二阻挡层包括氮化钽。

12．一种阻挡层的制造方法，所述方法包括下列步骤：

提供一半导体基底，在所述半导体基底上已形成有一传导层；

在所述传导层与所述半导体基底上形成一介电层，且在所述介电层中形成一开口，使得所述开口露出所述传导层；

在所述开口中以及周缘形成一第一阻挡层，所述第一阻挡层中含有硅；以及

在所述第一阻挡层上形成一第二阻挡层。

13．如权利要求12所述的方法，其中所述传导层包括晶体管的源极/漏极区。

14．如权利要求12所述的方法，其中所述传导层包括金属线。

15．如权利要求12所述的方法，其中所述介电层包括低介电系数的有机介电层。

16．如权利要求12所述的方法，其中所述介电层包括二氧化硅介电层。

17．如权利要求12所述的方法，其中所述第一阻挡层包括掺杂的硅层。

18．如权利要求12所述的方法，其中所述第一阻挡层的厚度在约0埃到约300埃之间。

19．如权利要求12所述的方法，其中所述第一阻挡层的形成方式为等离子增强化学气相沉积法。

20．如权利要求12所述的方法，其中所述第一阻挡层的形成方式为低压化学气相沉积法。

21．如权利要求12所述的方法，其中所述第一阻挡层的形成方式为电子束蒸镀法。

22．如权利要求12所述的方法，其中所述第一阻挡层的形成方式为溅射法。

23．如权利要求12所述的方法，其中所述第二阻挡层包括钛/氮化钛层。

24．如权利要求12所述的方法，其中所述第二阻挡层包括氮化钨。

25．如权利要求12所述的方法，其中所述第二阻挡层包括钽。

26．如权利要求12所述的方法，其中所述第二阻挡层包括氮化钽。

27．如权利要求12所述的方法，其中还包括在所述开口填满一传导材料，并进行化学机械研磨。

28．如权利要求27所述的方法，其中所述传导材料为选自一族群，所述族群包括钨、铜、铝与传导性好的传导材料。