[发明专利]具有使电特性发生变化的电路的半导体存储器

说明书

本发明涉及在半导体存储器中具有在被模塑(molded)的状态下能够识别正常进行熔丝熔断的功能的半导体存储器。

以往，有根据熔丝熔断能够进行内部电源电位的调整和向冗余存储单元进行置换的半导体存储器。

下面说明以往的具有能够置换的冗余电路的半导体存储器结构的一例。

图20所示的以往的半导体存储器2000具有存储块#1，冗余存储阵列#11，主译码电路2，冗余译码电路3，以及冗余比较电路4。

存储块#1在字线和位线的交点上配置着未图示的多个存储单元。

主译码器电路2是选择存储块#1的存储单元的电路，具有列译码电路以及行译码电路。

冗余存储阵列#11具有未图示的多个冗余存储单元。

冗余译码电路3是用于选择冗余存储阵列#11的存储单元的电路，具有列译码电路以及行译码电路。

冗余比较电路4为了把有缺陷的存储单元(以下称为不良单元)置换为冗余存储单元，进行主译码器电路2以及冗余译码电路3的控制。

以上那样构成的半导体存储器2000在晶片加工过程中，当在存储块#1中发现不良单元时，按照以下的顺序进行置换。

了解不良单元的地址(以下称为不良地址)，检查能否进行与冗余存储单元的置换。如果能够置换，实施熔断冗余比较电路4的相当于该不良地址的部分的多晶硅熔丝的操作。

在结束了这样的操作以后，经过保护膜形成过程，仅把在最终选择测试中合格的产品作为成品出厂。

由此，在选择不良单元时，通过冗余比较电路4控制主译码电路2以及冗余译码电路3，选择置换了的冗余存储单元。

然而，在制造之后，在半导体存储器2000的不良分析以及进行评价方面，了解熔丝熔断是正常或者是不良至关重要。然而，在以往的半导体存储器2000中，了解熔丝熔断是否正常需要打开封装使用电子显微镜进行检查。

还有，由于在被模塑的状态下不能够区别是否正常地进行了熔丝熔断，因此存在着即使没有正常进行熔丝熔断在最终选择测试中也作为合格品而出厂的问题。

因此，本发明的目的在于提供能够在被模塑的状态下检测是否正常地进行了熔丝熔断的半导体存储器。

本发明的半导体存储器是能够通过熔断第1熔丝进行冗余性置换和内部电源电位调整的半导体存储器，具备外部连接端子、传送从外部连接端子接收的信号或者把信号传送到外部连接端子的第1信号线和根据第1熔丝的熔断正常或者不正常而使第1信号线的电特性发生变化的电路。

从而，本发明的主要优点是，能够根据熔丝熔断的正常与否使外部连接端子的电特性发生变化。

本发明另一方案的半导体存储器是能够通过熔断第1熔丝进行冗余性置换和内部电源电位调整的半导体存储器，具备发生用于把从存储阵列读出的信号输出到外部的输出控制信号的输出控制信号发生电路、传送输出控制信号的第1信号线和根据第1熔丝的熔断正常与否使第1信号线的电特性发生变化的电路。

从而，本发明的另一个优点是能够根据熔丝熔断的正常与否使得控制数据输出的输出控制信号的状态发生变化，由此，能够使输出数据发生变化。

图1是示出本发明实施例1中的半导体存储器100的基本构成例的框图。

图2是示出本发明实施例1中的特性变化电路51的基本构成的电路图。

图3是示出本发明实施例2中的半导体存储器200的基本构成例的框图。

图4是示出本发明实施例2中的特性变化电路52的基本构成的电路图。

图5是示出本发明实施例3中的半导体存储器300的基本构成例的框图。

图6是示出本发明实施例3中的特性变化电路53的基本构成的电路图。

图7是示出本发明实施例4中的半导体存储器400的基本构成例的框图。

图8是示出本发明实施例4中的特性变化电路54的基本构成的电路图。

图9是示出本发明实施例5中的半导体存储器500的基本构成例的框图。

图10是示出本发明实施例5中的特性变化电路55的基本构成的电路图。

图11是示出本发明实施例6中的半导体存储器600的基本构成例的框图。

图12是示出本发明实施例7中的半导体存储器700的基本构成例的框图。

图13是示出本发明实施例7中的特性变化电路57的基本构成的电路图。

图14是示出本发明实施例8中的半导体存储器800的基本构成例的框图。

图15是示出本发明实施例8中的特性变化电路58的基本构成的电路图。

图16是示出本发明实施例9中的半导体存储器900的基本构成例的框图。