[发明专利]集成电路的制造方法

权利要求书

1．一种集成电路的制造方法，其包括以下步骤：

预备一面半导体基板，并在其上或内部形成半导体元件结构；

在该半导体元件结构上形成一层绝缘层，并在该绝缘层上形成一第一导电层，该第一导电层向下延伸穿过该绝缘层，而与该半导体元件结构之一接触；

形成一层层间介电层，其步骤包括：

在该第一导电层上沉积一层第一介电层；

在该第一介电层上涂布一层旋涂玻璃层；

对该旋涂玻璃层进行回蚀刻，使旋涂玻璃层上形成高分子堆积物；

以氧等离子处理该旋涂玻璃层，从而去除该高分子堆积物；并且

在该旋涂玻璃层上沉积第二介电层，而完成该层间介电层；

在该层间介电层内蚀出通孔，通往该第一导电层；并且沉积一第二导电层填入该通孔内，并进行构图，以完成该集成电路元件。

2．根据权利要求1所述的方法，其中该第一介电层包括由等离子增强化学气相沉积法沉积而成的氧化硅。

3．根据权利要求1所述的方法，其中该旋涂玻璃层包括硅酸盐材料。

4．根据权利要求1所述的方法，其中该旋涂玻璃层包括硅氧烷材料。

5．根据权利要求1所述的方法，其中对该旋涂玻璃层进行的处理包括在50至250℃的温度下，通入流率100至5000sccm的氧气等离子约2至10秒。

6．根据权利要求1所述的方法，其中该第二介电层包括在约400℃的温度下所沉积的TEOS。

7．一种在制造集成电路元件时，形成不掀起、不皲裂的层间介电层的方法，其步骤包括：

预备一面半导体基板，并在其上或内部形成半导体元件结构；

在该半导体元件结构上形成一层绝缘层，并在该绝缘层上形成一第一导电层，该第一导电层向下延伸并穿过该绝缘层，而与该半导体元件结构之一接触；

在该第一导电层上沉积一层第一介电层；

在该第一介电层上涂布一层旋涂玻璃层；

对该旋涂玻璃层进行回蚀刻，使旋涂玻璃层上形成高分子堆积物；

以氧等离子处理该旋涂玻璃层，从而去除该高分子堆积物；并避免该旋涂玻璃层发生掀起或皲裂；并且

在该旋涂玻璃层上沉积第二介电层，以完成该集成电路元件的层间介电层。

8．根据权利要求7所述的方法，其中该第一介电层包括由等离子增强化学气相沉积法沉积而成的氧化硅。

9．根据权利要求7所述的方法，其中该旋涂玻璃层包括硅酸盐材料。

10．根据权利要求7所述的方法，其中该旋涂玻璃层包括硅氧烷材料。

11．根据权利要求7所述的方法，其中对该旋涂玻璃层进行的处理包括在50至250℃的温度下，通入流率100至5000sccm的氧气等离子约2至10秒。

12．根据权利要求7所述的方法，其中该第二介电层包括在约400℃的温度下所沉积的TEOS。

13．一种在制造集成电路元件时，形成不掀起、不皲裂的层间介电层的方法，其步骤包括：

预备一面半导体基板，并在其上或内部形成半导体元件结构；

在该半导体元件结构上形成一层绝缘层，并在该绝缘层上形成一第一导电层，该第一导电层向下延伸并穿过该绝缘层，而与该半导体元件结构之一接触；

在该第一导电层上沉积一层第一介电层；

在该第一介电层上涂布一层旋涂玻璃层；

对该旋涂玻璃层进行回蚀刻，使旋涂玻璃层上形成高分子堆积物；

以氧等离子处理该旋涂玻璃层，从而去除该高分子堆积物；并避免该旋涂玻璃层发生掀起或皲裂；

在该旋涂玻璃层上沉积一层TEOS层，完成该层间介电层；

在该层间介电层内蚀出通孔，通往该第一导电层，并且沉积一第二导电层，填入该通孔内，并对其进行构图，以完成该集成电路元件。

14．根据权利要求13所述的方法，其中该第一介电层包括由等离子增强化学气相沉积法沉积而成的氧化硅。

15．根据权利要求13所述的方法，其中该旋涂玻璃层包括硅酸盐材料。

16．根据权利要求13所述的方法，其中该旋涂玻璃层包括硅氧烷材料。