[发明专利]形成多个不同深度接触窗的方法

权利要求书

1.一种形成多个不同深度接触窗的方法，该方法是在一蚀刻步骤中，于一半导体晶片上进行的，该半导体晶片至少包含一介电层，该介电层下包含有一硅底材、一氮化硅层以及一氮氧化硅层，所述方法至少包含：

在所述介电层上，限定一光刻胶层，该氮氧化硅层下方具有一第一导电层，该氮化硅层下方具有一第二导电层；

蚀刻该氮氧化硅层、该氮化硅层以及位于该氮氧化硅层及该氮化硅层上的部分介电层，通过使用一蚀刻剂进行该蚀刻步骤，以暴露出该硅衬底、该第一导电层以及该第二导电层，该蚀刻剂至少包含一第一化学药剂以及一第二化学药剂，该第一化学药剂至少包含C₂F₆、C₄F₈、CH₃F以及Ar，该第二化学药剂可以由下列中选出，O₂、CO₂、CO及其组合，由此，在该硅衬底、该第一导电层以及该第二导电层上形成多个不同深度的接触窗。

2.如权利要求1所述方法，其中所述的第一导电层以及该第二导电层是由一硅化金属所组成。

3.如权利要求2所述方法，其中所述的硅化金属是由硅化钨、硅化钛或硅化钴组成。

4.如权利要求1所述方法，其中所述的C₂F₆的流量大约为0-10sccm、C₄F₈的流量大约为13-25sccm、CH₃F的流量大约为10-30sccm以及Ar的流量大约为60-200sccm。

5.如权利要求1所述方法，其中所述的第二化学药剂的流量大约为该第一化学药剂的流量的百分之一至百分之十。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述的蚀刻剂由一电源功率以及一偏压功率所处理，该电源功率大约为1600-2400瓦特，并且该偏压功率大约为1000-1500瓦特。

7.如权利要求1所述方法，其中所述的接触窗位于暴露的该硅衬底表面的深度，与位于暴露的该氮氧化硅层表面的深度，以及位于暴露的该氮化硅层表面的深度都不同。

8.一种形成多个不同深度接触窗的方法，该方法是在一蚀刻步骤中，于一半导体晶片上进行的，形成该半导体晶片时使用一自对准工艺，并且该半导体晶片至少包含一介电层，该介电层下包含有一硅衬底、一氮化硅层、一氮氧化硅层以及一多晶硅层，所述方法至少包含：

在该介电层上限定一光刻胶层，该氮氧化硅层下方具有一第一导电层，该氮化硅层下方具有一第二导电层；

蚀刻该氮氧化硅层、该氮化硅层以及位于该氮氧化硅层及该氮化硅层上的部分介电层，通过使用一蚀刻剂进行该蚀刻步骤，以暴露出该硅衬底、该第一导电层、该第二导电层以及该多晶硅层，该蚀刻剂至少包含一第一化学药剂以及一第二化学药剂，该第一化学药剂至少包含C₂F₆、C₄F₈、CH₃F以及Ar，该第二化学药剂可以由下列中选出，O₂、CO₂、CO及其组合，由此，在该硅衬底、该第一导电层、该第二导电层以及该多晶硅层上形成多个不同深度的接触窗，该第二化学药剂的流量大约为该第一化学药剂的流量的百分之一至百分之十。

9.如权利要求8的方法，其中所述的第一导电层以及第二导电层是由一硅化金属所组成。

10.如权利要求9的方法，其中所述的硅化金属是由硅化钨所组成。

11.如权利要求8的方法，其中所述的多晶硅层是由多晶硅所构成。

12.如权利要求8的方法，其中所述的C₂F₆的流量大约为0-10sccm、C₄F₈的流量大约为13-25sccm、CH₃F的流量大约为10-30sccm以及Ar的流量大约为60-200sccm。

13.如权利要求8的方法，其中所述的蚀刻剂由一电源功率以及一偏压功率所处理，该电源功率大约为1600-2400瓦特，并且该偏压功率大约为1000-1500瓦特。