[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98108911.9 | 申请日： | 1994-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1223465A | 公开（公告）日： | 1999-07-21 |
| 发明（设计）人： | 小沼利光;张宏勇;菅原彰;铃木敦则;上原由起子;大沼英人;山口直明;须泽英臣;鱼地秀贵;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,王岳 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1．一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括下列步骤：
在绝缘表面上形成半导体膜；
在所说半导体膜上形成绝缘膜；
在所说绝缘膜上形成栅电极；
首先阳极氧化所说栅电极，以便在所说栅电极的至少一侧面上形成第一阳极氧化膜；
用所说第一阳极氧化膜作为掩模，通过刻蚀将一部分的所说绝缘膜除去或减薄，以便形成栅绝缘膜；
除去所说第一阳极氧化膜；以及
用至少所说栅电极作为掩模并通过一部分所说栅绝缘膜将其中一种导电型杂质引进所说半导体膜。
2．权利要求1的方法，其特征在于，它还包括将所说半导体膜的部分转变为金属和所说半导体的化合物，所说部分伸出所说栅绝缘膜的侧边。
3．根据权利要求1的方法，其特征在于，它还包括在所说第一阳极氧化步骤后第二阳极氧化所说栅电极的步骤，以便形成第二阳极氧化膜。
4．权利要求3的方法，其特征在于，其中所说第一阳极氧化膜与所说第二阳极氧化膜相比是较多孔性的。
5．根据权利要求1的方法，其特征在于，它还包括在所说引进步骤后通过在其上照射光激活所说杂质。
6．权利要求1的方法，其特征在于，所说半导体膜包括结晶硅。
7．权利要求1的方法，其特征在于，所说栅电极含有选自铝、钽、钛和硅的元素。
8．权利要求1的方法，其特征在于，它还包括下列步骤：
在所说绝缘膜上形成导电材料以形成栅电极；
在所说导电材料的所选部分上形成掩模；以及
根据所说掩模将所说导电材料刻图以成栅电极；
其中所说掩模覆盖所说栅电极的上部，且在形成所说第一阳极氧化膜期间所说掩模留下来保持不变。
9．权利要求8的方法，其特征在于，它还包括：在所说第一阳极氧化膜形成后形成第二阳极氧化模。
10．权利要求8的方法，其特征在于，所说导电材料包括选自铝、钽、钛和硅的元素。
11．权利要求9的方法，其特征在于，所说第二阳极氧化膜是在所说除去或减薄步骤前形成的。
12．权利要求9的方法，其特征在于，该第一阳极氧化膜与所说第二阳极氧化膜相比是较多孔性的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98108911.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制备放射性核素配合物用的硫酸三异腈亚铜
- 下一篇：带可伸缩末端的医疗步行器足
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
