[发明专利]铁锆硼掺杂纳米晶巨磁阻抗薄带材料及制备方法无效
申请号: | 98110340.5 | 申请日: | 1998-07-15 |
公开(公告)号: | CN1062611C | 公开(公告)日: | 2001-02-28 |
发明(设计)人: | 梅良模;陈晨;郭慧群;刘宜华;栾开政 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C22C38/14 | 分类号: | C22C38/14;C21D8/12 |
代理公司: | 山东大学专利事务所 | 代理人: | 刘旭东 |
地址: | 250100 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁锆硼 掺杂 纳米 磁阻 抗薄带 材料 制备 方法 | ||
1.一种铁锆硼掺杂纳米晶巨磁阻抗薄带材料,其特征是该铁锆硼掺杂纳米晶巨磁阻抗薄带材料的分子组分为Fe100-x-y-zZryBzMx,其中x,y,z的取值范围是:
x:0~5
y:5~10
z:3~10掺杂物质M是铜、钒、铬、镍(Cu,V,Cr,Ni)金属材料中的一种。
2.一种如权利要求1所述的铁锆硼掺杂纳米晶巨磁阻抗薄带材料的制备方法,其特征是将所需原料通过熔炼、快淬,使其成为非晶态合金薄带材料,再经过退火处理,最后获得纳米晶巨磁阻抗薄带材料,具体工艺步骤如下:
(1)将铁、锆、硼和掺杂物M原料,在考虑到烧损量的前提下,按合金组分配比进行配料,放入真空电弧炉内,然后抽真空,当真空度在2×10-1Pa以上时,再充入惰性气体氩,气压控制在1.1~11.2Pa,此时开始进行电弧熔炼,熔炼温度为1400~2000℃,熔炼时间为10~30分钟,随炉冷却后得到母合金,然后
(2)将母合金放入石英或氮化硼坩埚内,坩埚底部开有一个宽为0.1~0.5毫米,长为0.5~1.5毫米的矩形小孔,再将装有母合金的坩埚置于真空系统中的高(中)频感应炉(线圈)内,感应炉正下方为一表面光滑的20~30厘米的纯铜或铜合金辊轮,对系统抽真空,当真空度达到2×10-1Pa以上时,充入惰性气体氩进行保护,此时感应炉将母合金加热,温度控制在1300~1600℃,时间为5~10分钟,待母合金熔化后,启动辊轮,转动速度控制在20~60米/秒,利用压力为50~100Pa的氩气流将熔融的合金从坩埚底部小孔喷出,喷射到高速转动的辊轮表面,因快速冷却而凝固,得到5~20毫米宽,20~50微米厚的非晶薄带,而后
(3)将非晶薄带放置于真空炉中,抽真空,当真空度达到3×10-3Pa时,充入惰性气体氩进行保护,加热进行退火热处理,热处理温度为450~600℃,保温3~6小时,然后随炉冷却,最终获得30~50纳米大小的纳米晶巨磁阻抗薄带材料。
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