[发明专利]一种气体雾化微晶贮氢电极合金无效
申请号: | 98114068.8 | 申请日: | 1998-06-11 |
公开(公告)号: | CN1239332A | 公开(公告)日: | 1999-12-22 |
发明(设计)人: | 侯万良 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/04;H01M4/26;C22C1/00 |
代理公司: | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 110015 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气体 雾化 微晶贮氢 电极 合金 | ||
1. 一种1∶5型气体雾化微晶贮氢电极合金,其特征在于合金化学成份为(重量百分比):
RE Ni Al Cu
31~38 50~60 1~8 4~8
2. 一种权利要求1所述1∶5型气体雾化微晶贮氢电极合金的制备方法,其特征在于:
雾化温度T=1670~1770K
雾化压力P=0.5~5.0MPa
质流比Qm=0.5~2.5
雾化气体为氮、惰性气体或其混合。
3. 按权利要求2所述1∶5型气体雾化微晶贮氢电极合金的制备方法,其特征在于:雾化气体中混入氢,氢气的量不超过10%(体积比)。
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