[发明专利]β”-氧化铝基质固体电介质及其制造方法无效

专利信息
申请号: 98114852.2 申请日: 1998-04-18
公开(公告)号: CN1233082A 公开(公告)日: 1999-10-27
发明(设计)人: 山本修 申请(专利权)人: 山本修;株式会社富士兴业
主分类号: H01M10/26 分类号: H01M10/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨丽琴
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氧化铝 基质 固体 电介质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种β”-氧化铝基质固体电介质,其特征是β”-氧化铝基质固体电介质烧结体,构成该烧结体的结晶粒中间部位是β”-氧化铝结晶相,在该结晶粒周围具有β-氧化铝相,成复合结构。

2.根据权利要求1记载的固体电介质,其特征是上述烧结体,是将含有β”一氧化铝晶种的α-氧化铝多孔质假烧结体浸渍含Na源的浸渍液,干燥后进行烧结反应而制成的。

3.根据权利要求1记载的固体电介质,其特征是上述烧结体的85-99(重量)%是β”-氧化铝结晶相。

4.根据权利要求1,2或3记载的固体电介质,其特征是作为结构稳定剂,上述烧结体含有Mg和Li中的一种以上。

5.根据权利要求1-4中任一项中记载的固体电介质,其特征是上述烧结体的弯曲强度在150kg/cm2以上,上述烧结体在350℃下比阻低于20Ωcm。

6.根据权利要求2-5中任一项中记载的固体电介质,其特征是上述假烧结体是铸入成形,进行假烧结的管状多孔质假烧结体。

7.根据权利要求1-6中任一项中记载的钠硫电池隔片,具有上述固体电介质。

8.具有权利要求1-7中任一项中记载的上述烧结体作固体电介质的钠硫电池。

9.一种β”-氧化铝基质烧结体的制造方法,其特征是包括如下工序,

(a)将含有β”-氧化铝晶种粉末作晶种的成形体进行假烧结,制得氧化铝质多孔质假烧结体的工序,

(b)将假烧结体在含Na源浸渍液中浸渍上规定量Na源的浸渍工序,和

(c)在充分形成规定量β”-氧化铝的条件下,对浸渍假烧结体的氧化铝进行烧结反应的工序。

10.根据权利要求9记载的β”-氧化铝基质烧结体的制造方法,其特征是上述成形体是使用含有耐水性表面改性处理的β”-氧化铝晶种的,含有α-氧化铝粉末或前驱体作主体的泥浆,进行加工成形的。

11.根据权利要求9记载的β”-氧化铝基烧结体的制造方法,其特征是上述成形体是使用含β”-氧化铝晶种的,含有α-氧化铝粉末或前体为主体的非水性泥浆,进行加工成形的。

12.根据权利要求9记载的制造方法,其特征是为在后段烧结反应中得到作为主体的规定量β”-氧化铝,在上述浸渍工序中浸渍足够量的Na源。

13.根据权利要求9-12之一项中记载的制造方法,其特征是进行上述烧结,直到在到在β”-氧化铝结晶相周围存在β-氧化铝相形成复合结构为止。

14.一种β”-氧化铝基质固体电介质的制造方法,其特征是将混合了β”-氧化铝晶种粉末和具有β”-氧化铝晶种粉末粒平均粒径1/3以下平均粒径的α-氧化铝粉末或其前体的混合物,加工成所要形状后,进行假烧成得到假烧结体,为了使α-氧化铝形成规定量β”-氧化铝,利用含有足够量Na源的浸渍液浸渍上述所得到的假烧结体,并进行干燥,接着进行充足时间的烧结反应,使大部分氧化铝变成β”-氧化铝结晶,在β”-氧化铝结晶相周围存在β-氧化铝相,形成复合结构。

15.根据权利要求14记载的制造方法,其特征是上述β”-氧化铝晶种粉末的平均粒径在1μm以上。

16.根据权利要求8-12的记载的制造方法,其特征是上述β”-氧化铝晶种粉末的平均粒径为2-12μm,上述α-氧化铝粉末为比表面积在10m2/g以上的高纯度粉末。

17.根据权利要求14-16中任一项记载的制造方法,其特征是作为上述β”-氧化铝晶种粉末,予先进行表面改性处理,付与耐水性,使用由此得到的物质,使用上述混合物的水性泥浆,利用铸入成形法进行成形。

18.根据权利要求9-16中任一项记载的制造方法,其特征是在达到形成均匀多孔质连通孔的温度条件下进行假烧成。

19.根据权利要求9-17中任一项记载的制造方法,其特征是在900-1050℃下进行假烧成,在1300-1600℃下进行烧结反应。

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