[发明专利]减少集成电路制造过程中侧壁堆积的金属蚀刻方法

权利要求书

1．一种用于在等离子处理室中蚀刻穿过一叠层上的选定部分的方法，所述叠层包括：一金属化层；一第一阻挡层，它设置在所述金属化层附近；和一光致抗蚀剂层，它设置在所述金属化层上面，该方法包括：

使用高溅射成分蚀刻，至少部分蚀刻穿过所述第一阻挡层；和

使用低溅射成分蚀刻，至少部分蚀刻穿过所述金属化层，所述低溅射成分蚀刻的溅射成分比所述高溅射成分蚀刻的溅射成分低。

2．如权利要求1所述的方法，其中，使用所述高溅射成分蚀刻所进行的蚀刻是通过采用比低溅射成分蚀刻所用压力低的蚀刻压力来实现的。

3．如权利要求1所述的方法，其中，所述基底在所述高溅射成分蚀刻过程中的一第一偏压高于所述基底在所述低溅射成分蚀刻过程中的一第二偏压。

4．如权利要求1所述的方法，其中，所述金属化层包括铝。

5．如权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属化层包括钛。

6．如权利要求1所述的方法，其中，在所述高溅射成分蚀刻和低溅射成分蚀刻之一采用包含氯的化学制品。

7．如权利要求1所述的方法，还包括：

使用另一高溅射成分蚀刻至少部分蚀刻穿过不同于所述第一阻挡层的底部阻挡层，所述第一阻挡层置于所述金属化层之上，所述底部阻挡层置于所述金属化层之下，所述另一高溅射成分蚀刻的溅射成分比所述低溅射成分蚀刻所采用的溅射成分高。

8．如权利要求7所述的方法，其中，所述金属化层包括Al-Cu。

9．如权利要求1所述的方法，其中，所述高溅射成分蚀刻和低溅射成分蚀刻至少之一是采用反应离子蚀刻。

10．如权利要求1所述的方法，其中，所述叠层用于动态随机存取存储器制造。

11．一种用于在等离子处理室中蚀刻穿过一叠层上选定部分的过程中减少侧壁聚合物建立的方法，所述叠层包括：一金属化层；一第一阻挡层，它设置在所述金属化层附近；和一光致抗蚀剂层，它设置在所述金属化层之上，该方法包括：

使用一第一室压至少部分蚀刻穿过所述第一阻挡层；

使用一比所述第一室压高的第二室压至少部分蚀刻穿过所述金属化层，其中，所述第一室压是设计来利用一比所述第二室压所用溅射成分高的溅射成分来蚀刻所述第一阻挡层。

12．如权利要求11所述的方法，其中，所述叠层用于动态随机存取存储器制造。

13．如权利要求11所述的方法，还包括：

使用一比所述第二室压低的第三室压至少部分蚀刻穿过不同于所述第一阻挡层的一底部阻挡层，所述第一阻挡层置于所述金属化层之上，所述底部阻挡层置于所述金属化层之下，其中，所述第二室压是设计来利用一比所述第二室压所用溅射成分高的溅射成分来蚀刻所述底部阻挡层。

14．如权利要求13所述的方法，其中，所述第一阻挡层和所述底部阻挡层当中至少一个包括Ti，所述金属化层包括铝。

15．如权利要求14所述的方法，其中，所述叠层用于动态随机存取存储器制造。

16．如权利要求14所述的方法，其中，所述至少部分蚀刻穿过所述金属化层的蚀刻采用含氯的化学制品。

17．如权利要求16所述的方法，其中，所述至少部分蚀刻穿过所述金属化层的蚀刻包括反应离子蚀刻。

18．如权利要求13所述的方法，其中，所述第一室压约在2毫乇和10毫乇之间。

19．如权利要求18所述的方法，其中，所述第二室压约在12毫乇和20毫乇之间。