[发明专利]快闪存储单元的制造方法

权利要求书

1.一种具有分离栅极的快闪存储单元的制造方法，包括以下步骤：

提供一半导体基底，该半导体基底上已设有至少一多层栅极结构，其中该多层栅极结构包括一第一导电层、一介电层、一第二导电层与一氮化硅层；

在该多层栅极结构周围形成一第一间隙壁；

在该多层栅极结构与该半导体基底上形成一第一多晶硅层；

在该多晶硅层的侧边周围形成一第二间隙壁；

以该第二间隙壁作为一掩模，进行离子注入，在该半导体基底中形成一漏极区；

去除该第二间隙壁；

限定掩模，进行离子注入，在该半导体基底中形成一源极区；以及

在该半导体基底与该多层栅极结构上形成一第三导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该多层栅极结构的形成方式包括以下步骤：

在该半导体基底上形成一栅极氧化层；

在该栅极氧化层上形成该第一导电层，作为一浮置栅；

在该第一导电层上形成该介电层；

在该介电层上形成该第二导电层，作为一控制栅；

在该第二导电层上形成该氮化硅层；以及

限定掩模，去除部分该氮化硅层、该第二导电层、该介电层、该第一导电层及该栅极氧化层，暴露出部分该半导体基底，形成该多层栅极结构。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该介电层为一氧化层/氮化硅层/氧化层结构。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该第一间隙壁的形成方式如下：

在该多层栅极结构与该半导体基底上形成一氧化层；以及

进行蚀刻步骤，蚀刻该氧化层，形成该第一间隙壁。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该第一多晶硅层厚度约为200～500埃。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该第二间隙壁的形成方式如下：

在该第一多晶硅层上形成一氧化层；以及

进行蚀刻步骤，蚀刻该氧化层，形成该第二间隙壁。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该蚀刻步骤为各向异性回蚀法。

8.如权利要求6所述的方法，其中，该氧化层厚度范围约为2000～4000埃。

9.如权利要求6所述的方法，其中，该氧化层以四乙基正硅酸盐反应形成。

10.如权利要求6所述的方法，其中，该氧化层以等离子化学气相沉积法形成。

11.如权利要求1所述的方法，其中，该源极区形成步骤还进一步包括下列步骤：

在该多晶硅层上形成一光致抗蚀剂层；

限定掩模，暴露出一欲形成源极的区域；

进行离子注入，形成该源极区；以及

去除该光致抗蚀剂层。

12.如权利要求1所述的方法，其中，形成第三导体层的步骤包括：

在该第一多晶硅层上形成一第二多晶硅层；以及

在该第二多晶硅层上形成一硅化钨层。