[发明专利]中间电压发生电路

权利要求书

1.一种中间电压发生电路，包括：

中间电压发生部分，产生具有位于第一电压源和第二电压源之间且电压互不相同的第一和第二中间电压的第一和第二信号，并通过第一和第二信号端子输出第一和第二信号；和输出部分；

中间电压发生部分包括：

至少一个第一MOS晶体管，连接在第一和第二电压源之间，并具有第一栅极和与第一栅极相连的第一漏极；

第二和第三MOS晶体管，串联在第一信号端子和第二信号端子之间，且它们的导电类型互不相同；

至少一个第四MOS晶体管，连接在第一和第二电压源之间，并具有第二栅极和与第二栅极相连的第二漏极；

输出部分，通过输出端子提供具有位于第一中间电压和第二中间电压之间的第三中间电压的电压源；

输出部分包括：

第五MOS晶体管，具有与第一电压源相连的第三漏极，与输出端子相连的第三源极和与第一信号端子相连的第三栅极；和

第六MOS晶体管，具有第四漏极，第四源极和第四栅极，其中，第四漏极连接到第二电压源，第四源极连接到输出端子，第四栅极连接到第二端子。

2.根据权利要求1的电路，其中

第一电压源位于高电压侧，而第二电压源位于低电压侧，和

第二MOS晶体管是P-沟道类型、位于高电压侧，而第三MOS晶体管是N-沟道类型、位于低电压侧。

3.根据权利要求1的电路，其中

第一MOS晶体管还包括与第一源极相连的第一背栅，而第四MOS晶体管还包括与第二源极相连的第二背栅。

4.根据权利要求1的电路，其中

第一电压源位于高电压侧，而第二电压源位于低电压侧，

第五MOS晶体管是N-沟道类型，还包括与第二电压源相连的第三背栅，而第六MOS晶体管是P-沟道类型，还包括与第一电压源相连的第四背栅。

5.根据权利要求1的电路，还包括：

电容器，连接在输出端子和第二电压源之间。

6.根据权利要求1的电路，特征在于：

所述中间电压发生部分产生的第一和第二信号位于提供第一源极电压的第一源极端子和提供第二源极电压的第二源极端子之间。

7.根据权利要求1的电路，特征在于：

所述中间电压发生部分，产生具有位于第一电压源和第二电压源之间且电压互不相同的第一至第n中间电压的第一至第n信号；

所述中间电压发生部分，包括多个导电类型相同且串联在第一电压源和第二电压源之间的多个第一MOS晶体管，它们均具有第一源极、第一漏极、第一栅极和第一背栅，其中第一栅极连接到第一漏极，第一背栅连接到第一源极；

电压信号选择部分，从第一至第n信号中选取两种信号，并将所选两种信号中的高电压侧信号作为第一信号从第一信号端子输出，将所选两种信号中的低电压侧信号作为第二信号从第二信号端子输出；

所述输出部分，包括：

输出端子，产生具有位于响应第一信号的第一中间电压和响应第二信号的第二中间电压之间的第三中间电压的电源；

所述第二MOS晶体管，具有第二源极，第二漏极和第二栅极，其中第二漏极连接到第一电压源，第二源极连接到输出端子，第二栅极连接到第一信号端子；

所述第三MOS晶体管，具有第三源极，第三漏极和第三栅极，其中第三漏极连接到第二电压源，第三源极连接到输出端子，第三栅极连接到第二信号端子；

8.根据权利要求7的电路，其中：

第一电压源位于高电压侧，而第二电压源位于低电压侧，

每个第一MOS晶体管均是P-沟道类型，和

第一栅极连接到低电压侧的第一漏极，第一源极连接到高电压侧。

9.根据权利要求7的电路，其中：

第一电压源位于高电压侧，第二电压源位于低电压侧，

每个第一MOS晶体管均是N-沟道类型，和

第一栅极连接到低电压侧的第一源极，第一漏极连接到高电压侧。