[发明专利]结构化方法

权利要求书

1．用于结构化至少一层待结构化薄层的方法具有如下步骤：

在待结构化薄层上覆盖一掩膜，

在使用掩膜的条件下，将待结构化薄层结构化，

去除掩膜，此时待结构化薄层的材料的再沉积物被遗留，和

待结构化薄层的材料的再沉积物，通过机械抛光或化学机械抛光被去除。

2．根据权利要求1的方法，其特征在于，该掩膜是一种光刻胶掩膜，此掩膜优先通过灰化去除。

3．用于结构化至少一层待结构化薄层的方法具有如下步骤：

在待结构化薄层上覆盖一掩膜，

在使用掩膜的条件下，将待结构化薄层结构化，

该掩膜及待结构化薄层的材料的再沉积物通过化学机械抛光去除。

4．根据权利要求1至3之一的方法，其特征在于，在去除再沉积物之后进行“洗涤机”清洁处理。

5．根据权利要求1至4之一的方法，其特征在于，在去除再沉积物之后进行湿化学法清洁处理。

6．根据权利要求4或5之一的方法，其特征在于，清洁处理经声波作用予以增强。

7．根据权利要求1至6之一的方法，其特征在于，该结构化薄层含有铜、铁、钴、镍、一种4d或5d过渡金属、尤其一种铂族金属。

8．根据权利要求1至6之一的方法，其特征在于，该待结构化薄层含有一铁电材料、一高介电常数的介电材料、一种钙钛矿或者这些材料的前级材料。

9．根据权利要求8的方法，其特征在于，该待结构化的薄层含有锶铋钽酸盐(SBT,SrBi₂Ta₂O₉)，锶铋铌酸盐·钽酸盐(SBNT,SrBi₂Ta_2-xNb_xO₉,x=0-2)，铅锆酸盐·钛酸盐(PZT,Pb(Zr,Ti)O₃)或衍生物或钡锶钛酸盐(BST,BaxSr_1-xTiO₃,X=0-1)，铅镧钛酸盐(PLT,(Pb,La)TiO₃)，铅镧锆酸盐·钛酸盐(PLZT,(Pb,La)(Zr,Ti)O₃)或衍生物。

10．根据权利要求7的方法，其特征在于，该待结构化薄层含有铂、金、银、铱、钯、钌、铼或其氧化物。

11．根据上述权利要求之一的方法，其特征在于，在干法刻蚀待结构化薄层期间，使用一种混合气体，这种气体不含反应气体。

12．根据上述权利要求之一的方法，其特征在于，在干法刻蚀待结构化薄层期间，使用一种混合气体，这种气体除含有惰性气体和氮气外，仅还含氧气。

13．根据上述权利要求之一的方法，其特征在于，在干法刻蚀待结构化薄层期间，使用一种惰性气体，特别是氩气。

14．根据权利要求1至13之一的方法，其特征在于，该掩膜含有硅、一种硅氧化物特别是SiO₂、一种金属特别是铝或钨、一种金属氮化物、优先是钛氮化物、特别是TiNx 0.8＜x＜1.2或者一种金属硅化物。