[发明专利]制备高纯颗粒硅的方法

权利要求书

1、一种在包含加热和反应区段的流化床反应器中通过将元素硅沉积在细粒硅上制备氯污染物含量低于50ppm(重量)的颗粒硅的方法，在加热区段的细粒硅用惰性无硅载体气流使其流态化而产生一流化床，并用微波能将其加热，在反应区段中，它被曝置于含有硅源气体和载体气体的反应气体中，其中，当在反应区段中反应气体充注流态化细粒硅时，它的平均温度要低于900℃。

2、如权利要求1所述的方法，其中，当在反应区段中流态化细粒硅被反应气体充注时，它的平均温度要大于900℃。

3、如权利要求1所述的方法，其中，硅源气体或反应气体通过一个或多个管状喷嘴被直接引入流化床反应器的反应区段中。

4、如权利要求1所述的方法，其中，反应气体的温度由流化床高度控制。

5、如权利要求1所述的方法，其中，反应气体的温度由在反应区段中的流态化度来控制，流态化度被定义为在反应区段上的平均气体流速u与产生流态化作用的最小气体流速u_mf之比。

6、如权利要求1或2所述的方法，其中，硅源气体优选选自一组包括有四氯硅烷，三氯硅烷，二氯硅烷及所述气体混合物的气体。

7、如权利要求1至3之一所述的方法，其中，无硅载体气体优选选自一组包括有氢，氮，氩，氦及所述气体混合物的气体。