[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98117209.1 | 申请日： | 1998-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1209653A | 公开（公告）日： | 1999-03-03 |
| 发明（设计）人： | 小槻一贵 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，它包括的步骤有：
在一块半导体基片上形成存储器单元晶体管；
经一层夹层绝缘膜在所述的存储器单元晶体管上形成一层金属布线；
形成一层绝缘膜用以埋住所述的金属布线；
平整所述的绝缘膜；以及
利用加工成图形的一层光刻胶膜和所述的金属布线作为掩膜经所述绝缘膜向所述的半导体基片注入离子。
2、按照权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述的平整步骤是用化学机械抛光的方法进行的。
3、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，它包括的步骤有：
在一块半导体基片上形成存储器单元晶体管；
经一层夹层绝缘膜在所述的存储器单元晶体管上形成一层金属布线；
形成一层绝缘膜用以埋住所述的金属布线；
平整所述的绝缘膜；
利用加工成图形的一层光刻胶膜和所述的金属布线作掩膜刻蚀掉部分所述的平整绝缘膜和所述的夹层绝缘膜；以及
利用未刻蚀掉的部分所述绝缘膜、所述夹层绝缘膜和所述金属布线作掩膜注入离子。
4、按照权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述的平整步骤是用化学机械抛光的方法进行的。2
5、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，它包括的步骤有：
在一块半导体基片上形成存储器单元晶体管；
经一层夹层绝缘膜在所述的存储器单元晶体管上形成一层金属布线；
形成一层绝缘膜用以埋住所述的金属布线；
平整所述的绝缘膜；
在所述平整的绝缘膜上形成一层覆盖膜；
平整所述的覆盖膜；
利用加工成图形的一层光刻胶膜和所述的金属布线作掩膜刻蚀掉部分所述的平整覆盖膜、所述的绝缘膜和所述的夹层绝缘膜；以及
利用未刻蚀掉的部分所述覆盖膜、所述绝缘膜、所述夹层绝缘膜和所述金属布线作掩膜注入离子。
6、按照权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述的绝缘膜平整步骤和所述的覆盖膜平整步骤是分别用化学机械抛光的方法进行的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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