[发明专利]在电路中形成扫描路径的可试验性方法的设计无效
申请号: | 98117651.8 | 申请日: | 1998-08-28 |
公开(公告)号: | CN1212465A | 公开(公告)日: | 1999-03-31 |
发明(设计)人: | 浅香俊治 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00 |
代理公司: | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 形成 扫描 路径 试验性 方法 设计 | ||
1、一种在电路中形成扫描路径的可试验性方法的设计,其特征在于,它包括的步骤有:
从多个连接一原始设计寄存器转换电平电路中的特定电路元件的路径中提取可被用作扫描路径的路径作为专用路径;
对于每个包括作为所述电路元件的多路调制器的所述专用路径,在通过连接控制件和所述多路调制器形成一个第一候选扫描路径时,计算一占用面积;
对于每个包括作为所述电路元件的寄存器的所述专用路径,在通过用一扫描元件取代所述来确定的专用路径的每个所述寄存器形成一个第二候选扫描路径时,计算一占用面积;
对于多条所述专用路径的每一条,从所述第一候选路径和所述第二候选路径中选出具有较小占用面积的候选路径;
对应于选择结果形成路径。
2、一种在电路中形成扫描路径的可试验性方法的设计,其特征在于,它包括的步骤有:
从多个连接一原始设计寄存器转换电平电路中的特定电路元件的路径中提取可被用作扫描路径的路径作为专用路径;
对于每个包括作为所述电路元件的多路调制器的所述专用路径,在通过将控制元件与所述多路调制器相连形成第一候选扫描路径时,计算占用面积;
对于每个包括作为所述电路元件的寄存器的所述专用路径,在通过用在寄存器的前面插入多路调制器而优化的扫描元件结构替代所述专用路径的每个所述寄存器形成第二候选扫描路径时,计算占用面积;
对于多条所述专用路径的每一条,从所述第一候选路径和所述第二候选路径中选出具有较小占用面积的候选路径;
对应于选择结果形成路径,及
用扫描元件替代未连接所述已形成扫描路径的所述寄存器且连接所述扫描路径。
3、一种在电路中形成扫描路径的可试验性方法的设计,其特征在于,它包括的步骤有:
从多个连接一原始设计寄存器转换电平电路中的特定电路元件的路径中提取可被用作扫描路径的路径作为专用路径;
储存所述已被提取的专用路径;
通过适当地从大量的所述已被储存的专用路径中选择路径以在一电路中顺序地形成扫描路径;及
将与在前述步骤中被选择为所述扫描路径的所述专用路径的电路元件连接的路径从专用路径的顺序选择的候选路径中排除出来。
4、一种电路设计装置,其特征在于,它包括有:
用于将涉及每种型式电路元件的占用面积的数据预先寄存的数据存储装置;
用于输入一原始设计寄存器转换电平电路的设计数据的数据输入装置;
用于从大量连接所述电路的、其设计数据已被输入所述数据输入装置的特定电路元件的路径中提取能被用作扫描路径的路径作为专用路径的路径提取装置;
针对每个被所述路径提取装置提取出来的包括作为所述电路元件的多路调制器的所述专用路径,计算通过连接控制件和所述的多路调制器形成的一个第一候选扫描路径的占用面积的第一计算装置;
在通过用扫描元件替代通过所述路径提取装置已提取出来的所述专用路径的每个寄存器形成第二候选扫描路径的情况下逐个计算占用面积的第二计算装置;
用于针对多条所述专用路径的每一条,从所述第一候选路径和所述第二候选路径中选出具有较小占用面积的候选路径的路径选择装置;及
对于对应于所述路径选择装置的选择结果形成扫描路径的路径形成装置。
5、一种电路设计装置,其特征在于,它包括有
用于输入一原始设计寄存器转换电平电路的设计数据的数据输入装置;
用于从大量连接所述电路的、其设计数据已被输入所述数据输入装置的特定电路元件的路径中依次提取能被用作扫描路径的路径作为专用路径的路径提取装置;
用于储存大量被所述路径提取装置依次提取出来的专用路径的路径存储装置;
对于通过从大量已被储存在所述路径存储装置中的所述专用路径中适当地选择路径以顺序形成扫描路径的路径形成装置;及
用于将连接已被所述路径形成装置选择的扫描路径的专用路径排除在专用路径的顺序选择的候选路径之外的候选路径选择装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的