[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1．一种制造有源矩阵式器件的方法，包括下列步骤：

在整个基片上形成第一导电薄膜；

在所述第一导电薄膜上形成至少两根接线和一根短路线的图案，其中所述两根接线通过所述短路线彼此短路；

在整个所述基片、所述两根接线和所述短路线上形成层间绝缘膜；

在所述层间绝缘膜上形成开口，使所述短路线的一部分暴露出来；

在所述层间绝缘膜上形成第二导电薄膜，其中所述第二导电薄膜也在所述短路线的暴露部分上形成；和

在所述第二导电膜上形成图案，以便在所述层间绝缘膜上形成一电极；

其中，在形成所述图案之后以与所述开口自行对齐的方式除去所述短路线的一部分，从而在电气上将所述第一和第二接线分隔开。

2．如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二导电薄膜由氧化铟锡构成。

3．如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电薄膜由包括钛膜、铝膜和钛膜的多层膜构成。

4．如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电薄膜由铝构成。

5．一种制造有源矩阵式器件的方法，包括下列步骤：

在整个基片上形成第一导电薄膜；

在所述第一导电薄膜上形成至少两根栅极线和一根短路线的图案，其中所述两根栅极线通过所述短路线彼此短路；

在整个所述基片、所述两根栅极线和所述短路线上形成层间绝缘膜；

在所述层间绝缘膜上形成开口，使所述短路线的一部分暴露出来；

在所述层间绝缘膜上形成第二导电薄膜，其中所述第二导电薄膜也在所述短路线的暴露部分上形成；和

在所述第二导电薄膜上形成图案，以便在所述层间绝缘膜上形成一电极；

其中，在形成所述图案之后以与所述开口自行对齐的方式除去所述短路线的一部分，从而在电气上将所述第一和第二栅极线分隔开。

6．如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二导电薄膜由氧化铟锡构成。

7．如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述层间绝缘膜由至少两个绝缘层构成，各绝缘层由选自氧化硅和氮化硅组成的材料组的材料构成。

8．一种制造有源矩阵式器件的方法，包括下列步骤：

在整个基片上形成第一导电薄膜；

在所述第一导电薄膜上形成至少两根源极线和一根短路线的图案，其中两根源极线通过所述短路线彼此短路；

在整个所述基片、所述两根源极线和所述短路线上形成层间绝缘膜；

在所述层间绝缘膜上形成开口，使所述短路线的一部分暴露出来；

在所述层间绝缘膜上形成第二导电薄膜，其中所述第二导电薄膜也在所述短路线的暴露部分上形成；和

在所述第二导电薄膜上形成图案，以便在所述层间绝缘膜上形成一电极；

其中，在形成所述图案之后以与所述开口孔自行对齐的方式除去所述短路线的一部分，从而在电气上将所述第一和第二源极线分隔开。

9．如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二导电薄膜由氧化铟锡构成。

10．如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述层间绝缘膜由至少两个绝缘层构成，各绝缘层由选自氧化硅和氮化硅组成的材料组的材料构成。