[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 98118777.3 | 申请日： | 1998-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1218292A | 公开（公告）日： | 1999-06-02 |
| 发明（设计）人： | 永井享浩;豆谷智治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1．一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底1；
在所述半导体衬底1上互相分离地设置的第1电路4及第2电路5；
连接所述第1电路4和所述第2电路5的熔丝部分2；以及
用耐腐蚀性强的材料形成的连结部分7，该部分夹在上述熔丝部分2的中间。
2．根据权利要求1中所述的半导体器件，其特征在于：
所述熔丝部分2包括连接到所述第1电路4上的第1金属部分8和连接到该第1金属部分8上的第1连结部分7，
所述第1连接部分7包括：在所述半导体衬底1的表面上形成的第1沟10；在该第1沟10的底部上形成的第1掺杂层11；以及沿所述第1沟10设置的、把所述第1金属部分8与所述第1掺杂层11连接起来的第1栓部分100。
3．根据权利要求2中所述的半导体器件，其特征在于：用钨或硅化钨形成所述第1栓部分100。
4．根据权利要求2中所述的半导体器件，其特征在于，所述第1掺杂层11为掺杂多晶硅层。
5．根据权利要求2中所述的半导体器件，其特征在于：
上述熔丝部分2包括：连接到上述第2电路5上的第2金属部分12和连接到该第2金属部分12上的第2连结部分13，
上述第2连接部分13包括：在上述半导体衬底1的表面上形成的第2沟14；在该第2沟14的底部上形成的第2掺杂层15；以及沿所述第2沟14设置的、把所述第2金属部分12与所述第2掺杂层15连接起来的第2栓部分101。
6．根据权利要求5中所述的半导体器件，其特征在于：用钨或硅化钨形成所述第2栓部分101。
7．根据权利要求5中所述的半导体器件，其特征在于：所述第2掺杂层15为掺杂多晶硅层。
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