[发明专利]半导体器件

说明书

本发明一般来说涉及半导体器件，更特定地说，涉及能够提高熔丝部分防潮性的、经过改良的半导体器件。

图13为包括熔丝部分的现有半导体器件的平面图。图14为图13中所示的半导体器件的熔丝部分的沿ⅩⅣ-ⅩⅣ线的剖面图。参照这些图，在半导体衬底1上将第1电路4与第2电路5设置成互相分离的状态。第1电路4与第2电路5是通过熔丝部分2连接的。通过设置在半导体衬底1上的绝缘膜3来保护熔丝部分2。

在现有的半导体器件中，熔丝部分2是使用与电路4、5内的布线相同的材料(铝、钨或硅化钨)制作的。

图15为进行了激光烧断后的半导体器件平面图。图16为沿着图15中ⅩⅥ-ⅩⅥ线的剖面图。用激光进行熔丝烧断，由此把熔丝部分2切断。通过熔丝部分2的切断，对第1电路4与第2电路5进行电分离。在切断熔丝部分2之部位6处，在上部复盖的氧化膜3同时也被破坏。因此，相对于从上部浸入的水份，熔丝部分2的端面2a露出。

图17为用于说明现有半导体器件的问题的图。图18为沿着图17中ⅩⅧ-ⅩⅧ线的剖面图。

参照图17及图18，在现有的半导体器件中，因为熔丝部分的端面2a相对于从上部浸入的水分露出，所以，在熔丝部分2的材料是耐潮性差的材料的情况下，有时腐蚀沿熔丝部分2进入，破坏电路5内的布线及其它熔丝部分，导致器件不合格。图中，参照符号29所表示的部分表示熔丝2被腐蚀了的部分。

一般来说，作为熔丝部分的材料选择导电性层。但是，因为优先考虑缩小布局及易于烧断的条件，所以，选择耐腐蚀性强的材料来使用是非常困难的。

图19为在2个部位上存在熔丝部分2的现有半导体器件的平面图。图20为沿着图19中ⅩⅩ-ⅩⅩ线的剖面图。因为除了在2个部位上存在熔丝部分2以外其他方面与图13中所示的现有半导体器件相同，所以，对相同或相当的部分共标以相同的参照符号，不重复其说明。

图21为在2个部位上有熔丝部分的现有半导体器件在激光烧断后平面图。图22为沿着图20的ⅩⅫ-ⅩⅫ线的剖面图。对与图15中所示器件相同或相当的部分只标以相同的参照符号，不重复其说明。

图23为示出在2个部位有熔丝部分的半导体器件的问题的图。图24为沿着图23中ⅩⅩⅣ-ⅩⅩⅣ线的剖面图。对与图17中所示器件相同或相当的部分只标以相同的参照符号，不重复其说明。

在现有的半导体器件中，用激光烧断进行了切断的熔丝部分也是半导体器件中防潮性最低的部分。由于该部分防潮性的程度很低，所以从已切断的熔丝部分的端面产生腐蚀，这种腐蚀沿着熔丝部分进入，进而，破坏电路及其它熔丝部分，结果，存在使半导体器件变成不合格的问题。

本发明是为了解决上述那样的问题而完成的，其目的在于提供一种能够提高保险部分的防潮性的改良了的半导体器件。

与本发明第1方面有关的半导体器件包括：半导体衬底。在上述半导体衬底上，将使第1电路与第2电路设置成互相离开的状态，熔丝部分把上述第1电路与上述第2电路连接起来。在上述熔丝部分的中间，夹有用耐腐蚀性强的材料形成的连结部分。

根据该发明，因为在熔丝部分的中间夹有用耐腐蚀性强的材料形成的连结部分，所以，即使在把熔丝部分切断以后，其端面露出，也能够利用由耐腐蚀性强的材料形成的上述连结部分防止腐蚀的进行。

根据本发明第2方面，上述熔丝部分包括连接到上述第1电路上的第1金属部分和连接到该第1金属部分上的第1连结部分。上述第1连结部分包括在上述半导体衬底的表面上形成的第1沟；在该第1沟的底部上形成的第1掺杂层；以及沿上述第1沟设置的、把上述第1金属部分与上述第1掺杂层连结起来的第1栓(plug)部分。

根据该发明，因为用耐腐蚀性强的第1掺杂层形成连结部分，所以，当即使熔丝部分被切断，第1金属部分的端面露出，导致该露出部分受到腐蚀，也能够利用第1掺杂层防止腐蚀的进行。

根据与本发明第3方面有关的半导体器件，用钨或硅化钨形成上述第1栓部分。它们是容易用激光切断的材料。

根据与本发明第4方面有关的半导体器件，上述第1掺杂层为掺杂多晶硅层。这样的掺杂层可以使用把杂质掺到硅衬底中的简单方法来形成。

根据与本发明第5方面有关的半导体器件，上述熔丝部分包括连接到上述第2电路上的第2金属部分和连接到该第2金属部分上的第2连结部分。上述第2连结部分包括：在上述半导体衬底的表面上形成的第2沟；在该第2沟的底部上形成的第2掺杂层；以及沿上述第2沟设置的、把上述第2金属部分与上述第2掺杂层连结起来的第2栓部分。