[发明专利]带有槽隔离结构的场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1．一种带有槽隔离结构的场效应晶体管，其特征在于位于槽隔离部分的端部附近的那部分栅绝缘膜的厚度等于或大于栅绝缘膜中部的厚度。

2．一种制造带有槽隔离结构的场效应晶体管的方法，包括下列步骤：

形成用于槽腐蚀的第一掩模绝缘膜；

进行槽腐蚀；

注入氩、硼、磷或硅；

以掩埋在槽中的状态形成用于槽隔离的第一绝缘膜；

在去掉所述第一掩模绝缘膜之后形成栅绝缘膜；

形成栅极；和

形成接触和布线。

3．一种制造带有槽隔离结构的场效应晶体管的方法，包括下列步骤：

形成用于槽腐蚀的第一掩模绝缘膜；

进行槽腐蚀；

以掩埋在槽中的状态形成用于槽隔离的第一绝缘膜；

去掉所述第一掩模绝缘膜；

在所述槽隔离部分的侧壁上形成第二绝缘膜；

注入氮；

去掉所述槽隔离部分的侧壁上的第二绝缘膜；

形成栅绝缘膜；和

形成接触和布线。

4．一种制造带有槽绝缘膜的场效应晶体管的方法，包括下列步骤：

形成用于形成场绝缘膜的第一掩模绝缘膜；

注入氮；

进行热氧化，以形成场绝缘膜；

去掉所述第一掩模绝缘膜；

形成栅绝缘膜和栅极；形成接触和布线。

5．一种制造槽DRAM单元的方法，包括下列步骤：

形成用于槽腐蚀的第二掩模绝缘膜；

形成衬底侧电容电极和电容绝缘膜；

淀积形成含杂质的硅膜；

深腐蚀所述硅膜；

把氩、硼、磷或硅倾斜地离子注入到衬底中；

氧化所述硅膜，形成第三绝缘膜；

去掉所述第二掩模绝缘膜；

形成栅极和传输栅的源-漏区；

形成用于把所述传输栅的漏区连接到所述硅膜的电极；和

形成接触和布线。

6．一种制造槽DRAM单元的方法，包括下列步骤：

形成用于槽腐蚀的第二掩模绝缘膜；

形成衬底侧电容电极和电容绝缘膜；

淀积形成含杂质的硅膜；

腐蚀所述硅膜；

在所述第二掩模的绝缘膜侧壁上形成第四绝缘膜；

离子注入氮；

去掉所述第二掩模绝缘膜和所述第四绝缘膜；

氧化所述硅膜，形成第三绝缘膜；

形成栅极和传输栅的源-漏区；

形成用于把所述传输栅的漏区和所述硅膜相互连接起来的电极；和形成接触和布线。