[发明专利]涂层细金属线和使用它的半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 98120434.1 申请日: 1998-10-16
公开(公告)号: CN1215214A 公开(公告)日: 1999-04-28
发明(设计)人: 木村直人;伊藤隆博 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01B7/00 分类号: H01B7/00;H01L21/60;H01L21/48;C09D5/25
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 涂层 金属线 使用 半导体器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种涂层细金属线,包括:

细金属线,和

绝缘层,形成在所述细金属线的周围,并能高效率地吸收预定发射波长的激光。

2.如权利要求1的涂层细金属线,某特征在于:

所述绝缘层含有1-35重量百分比的颜料。

3.如权利要求2的涂层细金属线,其特征在于:

所述颜料是钛白、锌白、白铅、锌钡白、铬黄、镉黄、钴黄、钼红、镉红、氧化铁红、红铅、钴绿、碳黑或铁黑。

4.如权利要求1的涂层细金属线,其特征在于,所述绝缘层含有大于1-35重量百分比的染料。

5.如权利要求4的涂层细金属线,其特征在于,所述染料是偶氮(基)染料、蒽醌染料、靛蓝洒料(indigoid dye)、二苯基甲烷染料、tryphenylmetane染料、呫吨染料、吖啶染料、吖嗪染料、噁嗪染料、噻嗪染料、喹啉染料或酞花青染料。

6.如权利要求1的涂层细金属线,其特征在于,

所述绝缘层含有1-30重量百分比的碳微细粉末。

7.如权利要求6的涂层细金属线,其特征在于,

所述碳的微细粉末的颗料直径小于1μm。

8.如权利要求1的涂层细金属线,其特征在于,所述细金属线作为用在半导体器件中的键合线的芯金属线。

9.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:

通过用激光照射一涂层细金属线的绝缘层的预定部分,以去掉所述的预定部分,所述绝缘层含有能高效率地吸收预定发射波长的激光的物质,和在所述预定部分把细金属线和半导体器件或其封装连接。

10.如权利要求9制造半导体器件的方法,其特征在于:所述激光是紫外激光。

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