[发明专利]半导体器件布线布局方法及存储所用程序的介质无效
申请号: | 98120498.8 | 申请日: | 1998-10-28 |
公开(公告)号: | CN1215918A | 公开(公告)日: | 1999-05-05 |
发明(设计)人: | 中武健一 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/00;G06F17/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 布线 布局 方法 存储 所用 程序 介质 | ||
1.一种半导体的布线布局方法,包括以下步骤:
确定芯片面积和芯片区;
在所述芯片区设置各元件,并形成连接所述各元件的布线:
确定连接到所述各元件且相对设置成在所述芯片的厚度方向彼此隔开的电源布线层和接地布线层的形状,将所述电源布线层和所述接地布线层设计成使其之间的中间区尽可能大。
2.如权利要求l所述的布线布局方法,包括以下步骤:
在确定所述芯片面积和所述芯片区的步骤之前,估算形成于所述芯片区中的元件数、元件面积、连接所述元件的布线的形成区、及所述电源布线层和所述接地布线层的最小必需形成区,其中根据元件的数量、元件面积、所述布线形成区、及所述电源布线层和所述接地布线层的形成区,确定所述芯片面积和所述芯片区。
3.如权利要求2所述的布线布局方法,其中根据在设计所述半导体器件电路时所用的基本排列信息,估算所述布线的所述形成区。
4.如权利要求2所述的布线布局方法,其中根据计算在所述电源布线层和所述接地布线层中流动的电流获得的模拟信息,估算所述电源布线层和所述接地布线层的所述形成区。
5.如权利要求1所述的布线布局方法,其中由利用计算机的图形逻辑运算程序确定所述电源布线层和所述接地布线层的所述形状。
6.如权利要求5所述的布线布局方法,其中根据设定的布线电容设置于其上的布线和布线电容的电容值的信息,进行所述图形逻辑运算程序。
7.如权利要求l所述的布线布局方法,其中所述电源布线层和所述接地布线层构成用于形成布线电容的对电极。
8.如权利要求1所述的布线布局方法,包括以下步骤:
暂时在所述芯片区上设置所述元件;
在确定所述芯片面积的所述步骤和在所述芯片区设置所述元件的所述步骤之间,在所述最小必需形成区中布设所述电源布线层和所述接地布线层,其中在设置所述元件的步骤中,根据所述半导体器件电路设计时所用的基本排列信息确定所述元件的设置位置。
9.如权利要求8所述的布线布局方法,其中根据电流计算的模拟信息和所述基本排列信息,布设所述电源布线层和所述接地布线层。
10.如权利要求1所述的布线布局方法,还包括以下步骤:
在设置所述元件和形成所述连接所述元件的布线的所述步骤,与确定所述电源布线层和所述接地布线层的形状的所述步骤之间,检查是否存在未设置的元件和未形成的布线,其中如果存在未设置的元件和未形成的布线,则流程返回到设置元件和形成连接各元件的布线的所述步骤;如果没有未设置的元件和未形成的布线,则流程转到确定所述电源布线层和所述接地布线层的所述形状的所述步骤。
11.如权利要求1所述的布线布局方法,还包括以下步骤:
形成辅助电源布线层和辅助接地布线层;
在所述电源布线层和所述接地布线层间的布线电容不足时,在确定所述电源布线层和所述接地布线层的所述形状后,连接所述辅助电源布线层和所述电源布线层,并连接所述辅助接地布线层和所述接地布线层,由此增大所述布线电容。
12.一种其上记录根据权利要求1-11中任一项的所述布线布局方法的程序的记录介质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造