[发明专利]增强聚酰亚胺对活性金属的粘合力的方法

权利要求书

1.改进聚酰亚胺膜对带有金属镀敷图案的半导体基底的粘合力的方法，其特征在于它由下列步骤组成：

(a)将有机溶液涂到基底上，该溶液是由氨烷氧基硅烷单体、芳烷氧基硅烷或芳基硅氮烷单体和水在溶剂中反应而制备的，其中所述的氨烷基硅烷单体是由下式表示的物质或它的混合物：

其中：

R₁为氢原子或含2或3个碳原子的饱和烃基或氨基取代的饱和烃基；

R₂为含3-6个碳原子的饱和烃基；

R₃为含1-4个碳原子的饱和烃基；

所述的芳烷氧基硅烷或芳基硅氮烷单体是由下式表示的：

R₄-Si-(Y)，

其中，R₄为未取代或取代的苯基，Y为OR₆或N(R₇)₂，其中R₆为含1-4个碳原子的饱和烃基，R₇为氢原子或含1-4个碳原子的饱和烃基；

进行所述的反应所用的芳烷氧基硅烷单体与氨烷氧基硅烷单体的摩尔比为1∶3至4∶1，水与单体总量的摩尔比为0.5∶1至2∶1；

在85℃至150℃的温度下加热所述基底0.5分钟至20分钟，以形成所述的部分固化膜；

将含有聚酰亚胺前体物质的溶液涂到所述的部分固化膜上；

在高于200℃的温度下加热所述基底以形成固化的硅倍半环氧乙烷共聚物膜和聚酰亚胺膜。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于所述氨烷氧基硅烷单体选自γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷和N-β-氨乙基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷，所述芳烷氧基硅烷单体是苯基三乙氧基硅烷。

3.根据权利要求2的方法，其特征在于在90℃至110℃的温度下加热所述基底5分钟至10分钟，以形成所述的部分固化膜；在高于350℃的温度下进行所述的同时固化步骤。

4.根据权利要求3的方法，其特征在于由氨烷氧基硅烷单体、芳烷氧基硅烷或芳基硅氮烷单体、四烷氧基硅烷单体和水在溶剂中反应制备所述有机溶液。

5.根据权利要求4的方法，其特征在于所述四烷氧基硅烷单体是四乙氧基硅烷，以单体总摩尔数为基准，其用量比例为20％至45％。

6.半导体结构，其特征在于它包含带有金属镀敷图案的基底、聚酰亚胺膜和介于所述基底与所述聚酰亚胺膜之间的硅倍半环氧乙烷共聚物膜，所述共聚物用以改进所述聚酰亚胺膜对所述金属的粘合力，所述结构是根据权利要求1的方法得到的。

7.半导体结构，其特征在于它包含带有金属镀敷图案的基底、聚酰亚胺膜和介于所述基底与所述聚酰亚胺膜之间的硅倍半环氧乙烷共聚物膜，所述共聚物用以改进所述聚酰亚胺膜对所述金属的粘合力，所述结构是根据权利要求3的方法得到的。

8.半导体结构，其特征在于它包含带有金属镀敷图案的基底、聚酰亚胺膜和介于所述基底与所述聚酰亚胺膜之间的硅倍半环氧乙烷膜，所述共聚物用以改进所述聚酰亚胺膜对所述金属的粘合力。