[发明专利]酞菁化合物,其制备方法以及使用该化合物的电子照相光敏性元件

说明书

本发明涉及酞菁化合物，更具体地说是具有新晶形的碘镓酞菁化合物，溴镓酞菁化合物和锆酞菁化合物。本发明进一步涉及制备酞菁化合物的方法以及使用酞菁化合物的电子照相光敏性元件。

至今，已注意到酞菁颜料并研究将其不仅作为着色剂，而且作为用于形成电子照相光敏性元件，太阳能电池，光传感器等的电子材料。

另一方面，最近一些年来，使用电子照相的非击打型的打印机已被广泛用作终端打印机来代替常规的击打型的打印机。这些打印机主要构成使用激光作为光源的激光打印机。作为光源，由于其费用和设备大小，半导体激光已被广泛使用。目前主要使用的半导体激光在790nm左右的长波长区具有发射波长，因此已开发出对该长波长光具有足够敏感性的电子照相光电导体。

电子照相光电导体的敏感性区主要随产生电荷的材料而变化，对长波长光具有敏感性的产生电荷的材料已进行了许多研究，这些材料包括金属酞菁和非金属酞菁，例如铝氯酞菁，氯铟酞菁、氧化钒酞菁、氢氧化镓酞菁、氯镓酞菁、镁酞菁和氧化钛酞菁。

已知这些酞菁化合物中的许多化合物具有各种晶形。例如，已知非金属酞菁具有α型、β-型、γ-型、δ-型、ε-型、χ-型、τ-型等，已知铜酞菁具有α型、β-型、γ-型、ε-型、χ-型等。这些酞菁化合物的具体的实例公开在例如日本公开专利申请(JP-A)50-38543,JP-A 51-108847和JP-A 53-37423。氧化钛酞菁报导在JP-A 61-217050,JP-A 61-239248,JP-A 62-67094,JP-A64-17066和JP-A 3-128973中。而且，镓酞菁和氯镓酞菁，氢氧化镓酞菁以及它们的晶形一起公开在JP-A 5-98181和JP-A 5-263007中。另外，碘镓酞菁公开在JP-A 60-59354中，溴镓酞菁公开在JP-A 57-148745中，但没有具体公开它们的晶形。

然而，使用这些已知的酞菁化合物的许多电子照相光敏性元件仅可显示出低的敏感性，并有可能导致重复使用期间暗区电压和亮区电压的波动。

本发明的一个目的是提供具有新晶形的酞菁化合物和制备这些化合物的方法。

本发明的另一个目的是提供对长波长光具有非常高的敏感性并具有优异的电压稳定性的电子照相光敏性元件。

根据本发明，提供具有选自特征在于分别通过CuKα特征性X-射线衍射方法获得的下面所示的X-射线衍射图(a)-(e)的晶形的碘镓酞菁：

(a)在9.6度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰，并不存在强度为最强峰强度的30％或更高的其他峰，

(b)在9.4度和27.1度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最最强峰，其中第二最强峰强度是最强峰强度的30％或更高，

(c)在7.5度和27.7度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，

(d)在7.5度和26.4度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，和

(e)在8.8度和27.2度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰、第二最强峰和第三最强峰之中的二个峰。

根据本发明，还提供具有选自由分别通过CuKα特征性X-射线衍射方法获得的下面所示的X-射线衍射图(f)-(j)代表的晶形的溴镓酞菁：

(f)在27.3度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰，并不存在强度为最强峰强度的30％或更高的其他峰，

(g)在9.0度和27.1度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，其中第二最强峰的强度至少是最强峰强度的30％，

(h)在7.4度和27.9度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，

(i)在7.5度和26.4度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，和

(j)在6.9度和26.7度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰。

通过下面方法可有效地制备该碘(或溴)镓酞菁，该方法包括：在碾磨或搅拌条件下，将氯镓酞菁或氢氧化镓酞菁与氢碘酸(或氢溴酸)反应。

根据本发明，进一步提供具有用CuKα特征性X-射线衍射方法测定的在Bragg角为7.0-9.0度(2θ±0.2度)的范围内具有最强峰的X-射线衍射图表示的晶形的锆酞菁。

通过下面方法可有效地制备该锆酞菁，该方法包括：在有机溶剂中碾磨或搅拌锆酞菁。

根据本发明，还提供一种电子照相光敏性元件，该元件包括载体以及在载体上形成并包含上述的碘镓酞菁，溴镓酞菁和锆酞菁之一的光敏层。