[发明专利]具有多个电源电路、多个内部电路及单个外部端子的半导体装置

权利要求书

1、半导体装置，包括：多个电源电路，用于输出具有彼此不同电压的电力；

多个电源线，它们分别地连接到所述电源电路，用于传输具有彼此不同电压的电力；

多个内部电路，它们分别连接到所述电源线，以便使用具有彼此不同电压的电力工作；

多个电源开关，它们分别插接在所述电源线中，用于对在所述电源线中传输的电力进行开和关；

多个控制线，它们分别连接在所述电源开关及所述内部电路之间的连接点上；

单个外部端子，它连接至所述控制线上；及

多个外部开关，它们分别插接在所述控制线中。

2、根据权利要求1的半导体装置，其中至少一个所述外部开关包括插接在至少一个所述控制线中的低压外部开关，所述控制线与传输具有不是最高所述电压的电力的至少一个所述电源线相连接，所述低压外部开关包括具有后栅极的MOS晶体管，所述半导体装置还包括：

至少一个高压控制开关，用于选择地将所述MOS晶体管的后栅极连接到与电源开关相连接的控制线，以便使具有最高电压的电力及用具有最高电压的电力工作的内部电路导通及关断；及

至少一个低压控制开关，用于选择地将所述MOS晶体管的后栅极连接到与电源开关相连接的控制线，以便使具有低电压的电力及用具有低电压的电力工作的内部电路导通及关断。

3、根据权利要求2的半导体装置，其中所述高压控制开关包括MOS晶体管，它具有的后棚极连接到与电源开关相连接的控制线，以便使具有提高电压的电力及用具有最高电压的电力工作的内部电路导通及关断；及所述低压控制开关包括MOS晶体管，它具有的后栅极连接到所述低压外部开关的所述MOS晶体管的所述后栅极。

4、半导体装置，包括：

高压电源电路，用于输出具有高电压的电力；

至少一个低压电源电路，用于输出比由所述高压电源电路输出的所述高压低的低压电力；

高压电源线，它连接到所述高压电源电路，用于传输由所述电压电源电路输出的高压电力；

至少一个低压电源线，它连接到所述低压电源电路，用于传输由所述低压电源电路输出的低压电力；

高压内部电路，它连接到所述高压电源线，以使用高压电力工作；

至少一个低压内部电路，它连接到所述低压电源线，以便用低压电力工作；

高压电源开关，它包括一对MOS晶体管，后者串联地插接在所述高压电源线中并具有反相连接的各个后栅极；

至少一个低压电源开关，它包括一对MOS晶体管，后者串联地插接在所述低压电源线中并具有反相连接的各个后栅极；

多个控制线，它们分别连接在所述电源开关及所述内部电路之间的连接点上；

单个外部端子，它连接在所述控制线上；

高压外部开关，它包括一个MOS晶体管，该晶体管插接在与所述高压电源线相连接的所述控制线中，并具有与所述高压内部电路相连接的后栅极；

至少一个低压外部开关，它包括一个MOS晶体管，该晶体管插接在与所述低压电源线相连接的所述各控制线中，并具有与所述低压内部电路相连接的后栅极；

至少一个高压控制开关，它具有的后栅极连接到与所述高压电源开关及所述高压内部开关相连接的一个所述控制线上，用于选择地将所述低压外部开关的所述MOS晶体管的后栅极连接到所述一个控制线上；及

至少一个低压控制开关，它具有的后栅极连接到所述低压外部开关的所述MOS晶体管的后栅极，用于选择地将连接到所述低压电源开关及所述低压内部电路的另一所述控制线连接到所述低压外部开关的所述MOS晶体管的所述后栅极。

5、根据权利要求2的半导体装置，其中每个所述电源电路包括产生具有正电压的电力的装置，及所述MOS晶体管包括一个P型MOS晶体管。

6、根据权利要求3的半导体装置，其中每个所述电源电路包括产生具有正电压的电力的装置，及所述MOS晶体管包括一个P型MOS晶体管。

7、根据权利要求4的半导体装置，其中每个所述电源电路包括产生具有正电压的电力的装置，及所述MOS晶体管包括一个P型MOS晶体管。

8、根据权利要求2的半导体装置，其中每个所述电源电路包括产生具有负电压的电力的装置，及所述MOS晶体管包括一个n型MOS晶体管。