[发明专利]具有多个电源电路、多个内部电路及单个外部端子的半导体装置

说明书

本发明涉及一种具有多个电源电路及多个内部电路的半导体装置，并尤其是，涉及对具有多个产生彼此不同电压的电源电路及多个以彼此不同电压工作的半导体装置进行测试的方法。

已经知道各种半导体装置可用于各个领域。一种传统半导体装置的例子是作为信息存储介质的快速擦写存储器。

快速擦写存储器可以用电写入及读出信息。但是，需用不同电压进行写及读信息。

具体地，存储在快速擦写存储器中的信息在普通电源电压下被读出。但是需用与普通电源电压不同的电压分别进行写和擦信息。为此原因，快速擦写存储器具有多个产生彼此不同电压的电源电路，及多个工作电压彼此不同的内部电路。

以下将参照附图中的图1至3来描述一个这样的传统半导体装置。

如图1中所示，半导体装置1具有：电荷泵2作为高压电源电路，以输出正高压电力，及电荷泵3作为低压电源电路，以输出正低压电力。

在电荷泵2上连接有高压内部电路4，后者用高压电力工作。在电荷泵3上连接有低压内部电路5，后者用低压电力工作。

电荷泵2及内部电路4通过具有高压电源开关单元8从高压电源线6a互相连接。电荷泵3及内部电路5通过具有低压电源开关单元9的低压电源线相互连接。

电源开关单元8、9具有串联地插接在各电源线6a、7a中的各对P型MOS(金属氧化物半导体)晶体管10、11。在MOS晶体管10、11中后栅极12彼此反相地连接。

电位移动器14、15分别连接在电源开关单元8、9的MOS晶体管10、11的栅极13之间。电位移动器14、15连接到电源开关单元8、9的控制端子16、17。

每个电位移动器14、15包括一对P型MOS晶体管18、19及一对n型MOS晶体管20、21。电位移动器14、15的MOS晶体管20、21通过反相器22连接到控制端子16、17。

高压及低压空制线6b、7b分别连接到电荷泵2、3和内部电路4、5之间的连接点。用作外部端子的高压及低压连接垫片31、32分别连接到控制线6b、7b。

高压外部开关单元33连接在高压控制线6b上，及低压外部开关单元34连接在低压控制线7b上。

外部开关单元33、34在结构上彼此相同，并分别具有用作高压及低压外部开关的P型MOS晶体管35。MOS晶体管35具有与控制线6b连接的各个后栅极12，控制线6b又连接到与电荷泵2相连接的电源线6a上。MOS晶体管35具有连接在各电位移动器36、37上的各个栅极13。

每个电位移动器36、37包括一对P型MOS晶体管18、19及一对n型MOS晶体管20、21。电位移动器36、37的MOS晶体管20、21通过反相器22连接到各个控制端子38、39。

控制电路(未示出)连接到开关单元8、9、33、34的控制端子16、17、38、39。

控制电路输出控制信号“SW1”到控制端子16，用于对电源开关单元8进行开和关，并输出控制信号“SW2”到控制端子38，用于对外部开关单元33进行开和关。

类似地，控制电路输出控制信号“SW3”到控制端子17，用于对电源开关单元9进行开和关，及输出控制信号“SW4”到控制端子39，用于对外部开关单元34进行开和关。

控制电路具有专用输入端子，用于在整体控制下从外部源接收控制信息，以使开关单元8、9、33、34导通及关断。

如附图中图2所示，当半导体装置1处于常规工作状态时，电源开关单元8、9被控制电路控制成导通，及高压和低压外部开关单元33、34被控空制电路控制成关断。

在此时，不同电压的电力从电荷泵2、3通过电源开关单元8、9供给内部电路4、5。因此，工作电压彼此不同的内部电路4、5能正常工作。

电荷泵2、3及内部电路4、5通过开关单元33、34与连接垫片31、32断接。因此，可阻止由电荷泵2、3产生的电力由连接垫片31、32泄漏出去。同时，也阻止了噪音从连接垫在31、32进入内部电路4、5。

为了对半导体装置1进行各种测试，将一外部测试电路(未示出)连接到连接垫片31、32及控制电路的输入端，该控制电路控制开关单元8、9、33、34的开及关。

例如，为了检测从电荷泵2、3对内部电路4、5的供电，所有开关单元8、9、33、34导通，如附图中图3a所示。

从高压电荷泵2对内部电路4供给的电力现在可从高压连接垫片31来检测，及从低压电荷泵对内部电路5供给的电力现在可从低压连垫片32来检测。