[发明专利]半导体器件、静电放电保护元件及防护绝缘击穿的方法

权利要求书

1、一种用于防止由于从外界到达包括MOS晶体管的集成电路的信号输入/输出部分的静电放电造成栅极绝缘击穿的半导体器件，其特征在于其通过一个设置在接触孔区域内的栅电极限制阱接孔与阱的接触面积，从而增大与阱的连接电阻。

2、根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，将接触孔与阱的连接电阻设定到这样一个值，即在该值处可使MOS晶体管的寄生双极晶体管在不大于使栅极绝缘击穿的电压下处于导通状态。

3、一种半导体器件，其特征在于包含：

输入/输出线路；

用于提供地电势及源极电势的源极线路；

一种形成于一种导电型的半导体基片内的表面层部分上的一种导电型的阱，其杂质浓度高于半导体基片的杂质浓度；

具有相反导电型的源极及漏极，它们形成于一种导电型的阱内的表面层部分之上，并被沟道区分开，所述漏极与所述输入/输出线路相连，而所述源极与所述源极线路相连；

形成在一种导电型的阱内的表面层部分上的一种导电型的阱接触区域，通过场绝缘膜与所述源极及漏极隔离，而阱接触区域与源极线路相连；

形成在所述半导体基片表面上的接触孔，其连接所述阱接触区域上的金属与阱接触区域相连；

通过所述半导体基片表面上的栅绝缘膜形成在沟道区上的第一栅电极，第一栅电极与源极线路相连；及

通过所述半导体基片表面上的栅绝缘膜形成于阱接触孔区域内的第二栅电极，第二栅电极与源极线路相连。

4、根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，通过形成在所述接触孔区域内的栅电极限制与所述一种导电型阱的接触面积。

5、根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，通过将形成在所述阱接触孔内的栅电极设置在阱接板的两侧上而限制与所述一种导电型的阱的接触面积。

6、根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，通过将形成在所述阱接触孔区域内的栅电极设置成围绕阱接板周围的形式而限制与一种导电型的所述阱的接触面积。

7、根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，通过将形成在所述阱接触孔区域内的栅电极设置在阱接板的中心部位而限制与一种导电型的所述阱的接触面积。

8、根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，通过将形成在所述阱接触孔区域内的栅电极与形成在所述沟道区上的栅电极相连而限定与所述一种导电型阱的接触面积。

9、一种包括MOS晶体管的半导体器件的静电放电保护元件，其特征在于包含：

源极、栅极及与地电势或源极线路的源电势相连的阱；

与输入/输出线路相连的漏极；及

放置在阱接触区域内用于绝缘和分离所述栅电极与所述阱的栅绝缘膜，其包括这样一种功能，即，通过所述栅电极限制阱接触孔与所述阱的接触面积，并使其易于进行MOS晶体管的寄生双极晶体管的操作，从而实现静电保护。

10、一种半导体器件的绝缘击穿防护方法，其用于防止由于从外界到达包括MOS晶体管的集成电路的信号输入/输出部分的静电放电而造成栅极绝缘击穿，其中通过设置在接触孔区域内的栅电极限制阱接孔与阱的接触面积，从而增大与阱的连接电阻，结果，在不大于使栅极绝缘击穿的电压下使MOS晶体管的寄生双极晶体管处于导通状态，而提供给漏极的过量电压被许可流到地电极或源极电极。