[实用新型]一种内联弱光型非晶硅光电池无效
申请号: | 98200201.7 | 申请日: | 1998-01-05 |
公开(公告)号: | CN2347274Y | 公开(公告)日: | 1999-11-03 |
发明(设计)人: | 周庆明;邵明;何承义 | 申请(专利权)人: | 珠海道元科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 519070 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 内联 弱光 型非晶硅 光电池 | ||
1.一种内联弱光型非晶硅光电池,由玻璃基底(1)透明电极(2)非晶硅膜(3)和背电极(4)构成,其特征在于:所述透明电极(2)由ITO或二氧化锡透明导电膜制成,每个单元透明电极图形为相同的长方形,每个相邻单元透明电极间由宽度为d的沟道隔开并保证相互绝缘,所述非晶硅膜(3)制成在透明电极上均匀覆盖在玻璃基底上,在与透明电极隔离线相距b的同一方向上并平行隔离线的位置形成穿透非晶硅沟道,裸露出透明电极;所述背电极(4)由导电浆料制成,如导电碳膏,银浆或铜浆等,背电极图形为长方形,电池背电极单元数比透明电极单元数多出一个,该多出的一个形成在最边上作为电池引出正极,其余的与透明电极数相同的背电极均为相同的长方形,所有相邻背电极单元间个相距为a并保持绝缘,绝缘沟槽与非晶硅沟道相距为e距离,并保持在与透明电极隔离线相反的方向上,这样即形成透明电极(2)非晶硅(3)背电极(4)三层的三条相互错位平行的隔离沟槽。
2.如权利要求1所述的内联弱光型非晶硅光电池,其特征在于:所述的背电极由导电浆料制成;如导电碳膏,银浆,铜浆等。
3.如权利要求1或2所述内联弱光型非晶硅光电池,其特征在于:所述内联弱光型非晶硅光电池由m个电池单元组成,其中m为除1以外的正整数。
4.如权利要求1或2所述内联弱光型非晶硅光电池,其特征在于:所述非晶硅膜沟道宽度不大于0.4mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海道元科技发展有限公司,未经珠海道元科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98200201.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:卷帘门防撬装置
- 下一篇:阻容网络压控正弦波振荡器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的