[实用新型]一种内联弱光型非晶硅光电池

说明书

本实用新型涉及非晶硅光电池，特别涉及一种内联弱光型非晶硅光电池。

公知的内联非晶硅光电池，其背电极采用铝膜侧成，由于制作工艺的不完善性，造成其影响非晶硅光电池电性能的不稳定性，及反射光引起的电池外观一致性差。

本实用新型的目的在于提供一种制造工艺简单，外观一致性好，电性能稳定的内联弱光型非晶硅光电池。

本实用新型的目的是通过下述方法实现的：

本实用新型的关键技术在于采用导电浆料制成的背电极取代了原公知的铝膜背电极。

本实用新型内联弱光型非晶硅光电池由玻璃衬底(1)透明电极(2)非晶硅膜(3)背电极(4)构成。所述透明电极(2)采用ITO或二氧化锡透明导电膜制成。如附图2所示，为由4个单元电池组成的非晶硅光电池透明电极图形，由4个长方形透明导电膜组成，相邻透明电极间由宽度为d的沟道隔开，保证可靠的电气绝缘。所述的非晶硅层(3)，均匀覆盖在玻璃基片和透明电极上面，并在与每个单元透明电极同方向的一边相距为a的位置形成宽度小于0.4mm穿透直线沟道并平行于透明电极的隔离沟道，即形成在同一方向与透明电极隔离沟道错位的直线沟(5)，并裸露出透明导电膜。附图3为由4个单元组成的非晶硅光电池的非晶硅膜。所述背电极(4)由导电浆料制成，可选择导电碳膏，银浆、铜浆等材料制成。每个单元背电极图形为长方形，其一边与非晶硅沟道平行，且覆盖过非晶硅沟道，如附图4所示，为4个单元组成的非晶硅光电池的背电极图形，由5个背电极块组成。从左边第一个为窄条形，并覆盖住透明电极与非晶硅的隔离线沟道，形成电池引出电极正极，第2、3、4个背电极为大的长方形，同样覆盖住透明电极隔离线与非晶硅沟道(5)，第5块背电极形成在第4个透明电极图形上的，形成电池引出电极的负极，每个背电极间间隔距离为b，并保证可靠的电气绝缘。此背电极通过非晶硅沟道与透明电极相连接。按此方法制成的透明电极、非晶硅及背电极即形成了三条沟道相互错位实现单元电池串联联接的内联弱光型非晶硅光电池。

本实用新型内联弱光型非晶硅光电池的背电极所采用的导电浆料具有导电性好，粘着力强及反射率低，抗老化等优点。

本实用新型内联弱光型非晶硅光电池可以由m个单元电池组成，其中m为除1以外的正整数。

本实用新型内联弱光型非晶硅光电池，由于采用导电浆料作背电极，而具有电性能稳定，外观一致性好的优点。同时，其制造工艺简单，原材料，设备投资小，从而降低了制造成本。

下面结合附图并参照具体实施例，进一步详细描述本实用新型。    

附图：    

图1．为本实用新型内联弱光型非晶硅光电池载面图。

图中1-玻璃，2-透明电极，3-非晶硅，4-背电极，5-非晶硅层沟道

图2．为本实用新型内联弱光非晶硅光电池透明电极示意图。图中斜线部分为透明电极。

图3．为本实用新型内联弱光非晶硅光电池非晶硅层示意图。图中斜线部分为非晶硅。

图4．为本实用新型内联弱光非晶硅光电池背电极示意图。图中斜线部分为背电极。

实施例1：

对照图1，其中的玻璃基底(1)由厚度为1.1mm的超薄玻璃制成，几何尺寸为12×30平方毫米，在该玻璃基底的表面溅射沉积一层厚度为0.01μmITO透明导电膜，然后用蚀刻法将该透明导电膜制成透明电极(2)，并保证各单元电极间电气绝缘。再在上述透明电极及基底上利用辉光放电法沉积厚度为0.5μm的PIN型非晶硅薄膜(3)，并用激光在该非晶硅薄膜刻出如图3所示的直线透过沟道宽度为0.15mm，然后，在如上制作的基片上采用丝印方法将导电浆料背电极制作在非晶硅膜上，使背电极盖在非晶硅沟道上，并保证单元背电极间电气绝缘，至此即形成具有图1所示结构布置的内联弱光型非晶硅光电池，最后再在如上制作的基片上印上保护漆，字符，引出电极而得到成品。

本实施例中光电池由4个单元电池组成。实施例2：

上述实施例1的变型，本实施例中的玻璃基底厚度仍为1.1mm。其尺寸为25×10平方毫米，其上的透明电极(2)，非晶硅膜(3)，导电浆料背电极(4)，保护漆，字符，引出电极等的制作及图形均与上述实施例1中相同，即得到成品。

本实施例中光电池由4个单元电池组成。