[实用新型]高速功率开关晶体管无效
申请号: | 98200661.6 | 申请日: | 1998-01-22 |
公开(公告)号: | CN2333092Y | 公开(公告)日: | 1999-08-11 |
发明(设计)人: | 亢宝位;吴郁 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L29/72 | 分类号: | H01L29/72 |
代理公司: | 北京工业大学专利代理事务所 | 代理人: | 张慧 |
地址: | 100022 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高速 功率 开关 晶体管 | ||
1.一种具有栅辅助晶体管GAT结构的高速功率开关晶体管,包含有发射区(6)、基区(1)、栅区(2)和集电区(5),栅区由基区延伸进入集电区中并具有与基区相同的半导体型号,其特征在于:在芯片平面上看,栅区由呈岛状分布的许多分立的区域(12)构成,这些分立的岛状栅区在芯片平面上排成阵列。
2.根据权利要求1所述的高速功率开关晶体管,其特征在于:相邻两列岛状栅区中心线之间的距离为5~500μm。
3.根据权利要求1所述的高速功率开关晶体管,其特征在于:每列岛状栅区中相邻两个栅区的边界之间的间隔距离为5~500μm。
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