[实用新型]有机薄膜电致发光元件

权利要求书

1．一种有机薄膜电致发光元件，具体结构包括：

①在密封盖(10)与基板(1)构成的密封壳体内，在基板(1)上一边有透明导电电极层(2)，另一边有背电极引出电极层(3)；

②在透明导电电极层(2)和背电极引出电极层(3)之上复盖有机空穴传输层(5)和有机电子传输层(6)；

③在有机电子传输层(6)之上有背电极层(11)；

其特征在于：

④在透明导电电极层(2)和背电极引出电极层(3)与有机空穴传输层(5)之间有前绝缘层(4)；

⑤在有机电子传输层(6)与背电极层(11)之间有后绝缘层(7)；

⑥背电极层(11)是由直接复盖在后绝缘层(7)之上的低功函数层(8)和复盖在低功函数层(8)之上的高导电层(9)构成的复合结构；

⑦在密封盖(10)与基板(1)的接合处有密封胶层(15)，在接合处的周围置有含干燥剂(14)的密封胶层(13)，密封壳体内有空间区(12)。

2．根据权利要求1的电致发光元件，其特征在于前绝缘层(4)是由厚度d₄=0.1nm～100nm的无机或者有机的宽禁带的绝缘体或半绝缘体构成的。

3．根据权利要求1的电致发光元件，其特征在于后绝缘层(7)是由厚度d₇=0.1nm～100nm的无机或者有机的宽禁带绝缘体或半绝缘体构成的。

4．根据权利要求2或3的电致发光元件，其特征在于构成前绝缘层(4)或后绝缘层(7)的宽禁带的无机的绝缘体或半绝缘体是锌Zn、铝Al、硅Si、锂Li、锰Mn、钇Y、钽Ta的氧化物或者氟化物；有机的绝缘体是钛菁化合物。

5．根据权利要求1的电致发光元件，其特征在于构成背电极层(11)的低功函数层(8)是由厚度d₈=2nm～200nm的具有低功函数的稳定的不易氧化的低熔合金体构成的。

6．根据权利要求1的电致发光元件，其特性在于构成背电板层(11)的高导电层(9)是由厚度d₉=50nm～200nm的具有高导电性能的有高反射率的金属构成的。

7．根据权利要求5的电致发光元件，其特征在于构成低功函数层(8)的低熔合金是铋Bi、镉Cd、镓Ga、铟In、锰Mn、锡Sn、铅Pb、钽Tb、银Ag的合金。

8．根据权利要求6的电致发光元件，其特征在于构成高导电层(9)的金属是金，或者是银、或者是铝。

9．根据权利要求1的电致发光元件，其特征在于密封壳体内的空间区(12)里是惰性气体的，或者是真空的。