[实用新型]半导体冷热箱

权利要求书

1、半导体冷热箱，由提手1，上盖2，箱体3、内胆和机芯5构成，其特征在于所述提手1安装在上盖2中部，可向一面折叠。

2、如权利要求1的半导体冷热箱，其特征在于所述机芯供电端正极V+与系统地V-之间串接有单向导通保护二极管D₂、限流电阻R₁和稳压二极管Z₁组成的第一回路，其中二极管D₂的阳极与V+相连，Z₁的阴极与限流电阻R₁的连接点形成系统工作供电电源V_E1，电容C₂为V_E1的滤波电容，单向导通保护二极管D₁之阳极与供电端正极V+相连，阳极与滤波电感L₁相连，L₁的另一端与系统地V-之间并接滤波电容C₁和C₃，L₁与C₁、C₃的接点形成系统供电电源V_E2，本电路包括二个电压比较器I_C1,I_C2，它们均以通常方式供电电源V_E1和系统地V-相连在供电电源V_E1和系统地V-之间还串接有以电阻R₆和电容C₄组成的串接充电回路，R₆与C₄之接点与I_C1的正向输入端10和IC₂的正向输入端40相接，其充电时间常数t=R₆C₄,IC₁的输出端30接上拉电阻R₂并与NPN型三极管N₁基极相连，N₁之发射极与系统地V-相接，集电极与电阻R₅相接，R₅的另一端与IC₁和IC₂的正向输端10和40相连，场效应管T₁是一个P沟道增强型场效应管，其漏极与系统地相连，源极与供电电源V_E2间接续流二极管D₃，其导通率大小决定输出电压。

3、如权利要求1的半导体冷热箱，其特征在于所述机芯在供电电源V_E2，系统地以及T₁的源极之间还有一个电压误差取样放大网络，它由PNP型三极管N₂、稳压二极管Z₂及可调电位器P₁组成，具体接法是Z₂的阴极与供电电源V_E2相连，其阳极与N₂之发射极相连，N₂集电极接在IC₂的反射输入端50上，基极接于可调电流器P₁的动点，P₁的两个固定点接在供电源VE2及与T₁源极相连的电感L₂的另一端。

4、如权利要求1的半导体冷热箱，其特征在于所述机芯电路中还包括一个温度控制开关R_T，一个双段拨动开关S₁，一个半导体制冷制热器件P，一个桥式整流堆B₁和一个风扇M，双段拨动开关的一个动端接VE₃结点，另一个动端接温度控制开关R_T,R_T的另一端接供电电源端VE₁，双段开关的中间相邻两个固定端短接在一起，并与制冷制热器件P的正端P+、桥堆B1的一个交流输入端相接，另外两个远端的固定端也连接在一起，并与桥堆B₁的另一个交流输入端以及制冷制热器件P的负端P-相连，P+端还串接电阻R₁₀和发光二极管LD₂,P-端串接电阻R₉和发光二极管LD₁，发光二极管LD₁和LD₂的阴极相连后与供电电源端VE₃相接。