[实用新型]半导体冷热箱无效
申请号: | 98230797.7 | 申请日: | 1998-05-28 |
公开(公告)号: | CN2331924Y | 公开(公告)日: | 1999-08-04 |
发明(设计)人: | 汤国安;曾国建;刘爱国 | 申请(专利权)人: | 汤国安;曾国建;刘爱国 |
主分类号: | F25D3/00 | 分类号: | F25D3/00 |
代理公司: | 株洲市专利事务所 | 代理人: | 毛华学 |
地址: | 412007 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 冷热 | ||
1、半导体冷热箱,由提手1,上盖2,箱体3、内胆和机芯5构成,其特征在于所述提手1安装在上盖2中部,可向一面折叠。
2、如权利要求1的半导体冷热箱,其特征在于所述机芯供电端正极V+与系统地V-之间串接有单向导通保护二极管D2、限流电阻R1和稳压二极管Z1组成的第一回路,其中二极管D2的阳极与V+相连,Z1的阴极与限流电阻R1的连接点形成系统工作供电电源VE1,电容C2为VE1的滤波电容,单向导通保护二极管D1之阳极与供电端正极V+相连,阳极与滤波电感L1相连,L1的另一端与系统地V-之间并接滤波电容C1和C3,L1与C1、C3的接点形成系统供电电源VE2,本电路包括二个电压比较器IC1,IC2,它们均以通常方式供电电源VE1和系统地V-相连在供电电源VE1和系统地V-之间还串接有以电阻R6和电容C4组成的串接充电回路,R6与C4之接点与IC1的正向输入端10和IC2的正向输入端40相接,其充电时间常数t=R6C4,IC1的输出端30接上拉电阻R2并与NPN型三极管N1基极相连,N1之发射极与系统地V-相接,集电极与电阻R5相接,R5的另一端与IC1和IC2的正向输端10和40相连,场效应管T1是一个P沟道增强型场效应管,其漏极与系统地相连,源极与供电电源VE2间接续流二极管D3,其导通率大小决定输出电压。
3、如权利要求1的半导体冷热箱,其特征在于所述机芯在供电电源VE2,系统地以及T1的源极之间还有一个电压误差取样放大网络,它由PNP型三极管N2、稳压二极管Z2及可调电位器P1组成,具体接法是Z2的阴极与供电电源VE2相连,其阳极与N2之发射极相连,N2集电极接在IC2的反射输入端50上,基极接于可调电流器P1的动点,P1的两个固定点接在供电源VE2及与T1源极相连的电感L2的另一端。
4、如权利要求1的半导体冷热箱,其特征在于所述机芯电路中还包括一个温度控制开关RT,一个双段拨动开关S1,一个半导体制冷制热器件P,一个桥式整流堆B1和一个风扇M,双段拨动开关的一个动端接VE3结点,另一个动端接温度控制开关RT,RT的另一端接供电电源端VE1,双段开关的中间相邻两个固定端短接在一起,并与制冷制热器件P的正端P+、桥堆B1的一个交流输入端相接,另外两个远端的固定端也连接在一起,并与桥堆B1的另一个交流输入端以及制冷制热器件P的负端P-相连,P+端还串接电阻R10和发光二极管LD2,P-端串接电阻R9和发光二极管LD1,发光二极管LD1和LD2的阴极相连后与供电电源端VE3相接。
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