[实用新型]半导体冷热箱无效

专利信息
申请号: 98230797.7 申请日: 1998-05-28
公开(公告)号: CN2331924Y 公开(公告)日: 1999-08-04
发明(设计)人: 汤国安;曾国建;刘爱国 申请(专利权)人: 汤国安;曾国建;刘爱国
主分类号: F25D3/00 分类号: F25D3/00
代理公司: 株洲市专利事务所 代理人: 毛华学
地址: 412007 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 冷热
【说明书】:

半导体制冷制热器件正为越来越多的人所认识,利用它制造制冷制热工业用品也有过尝试,但现有的车用半导体制冷制热产品由于汽车蓄电池输出电压波动大而导致器件工作不稳定,容易损坏,从而给使用者带来不便和损失。

实用新型的目的在于提供一种半导体冷热箱,它不使用化学制冷剂,体积适中,耗电省,运行安全平稳,在室温下能快速制冷或制热,符合环保要求,给使用者带来方便。

为达到本实用新型的目的采用的技术方案是:对输入的12v~24v范围蓄电池供电直流电源进行脉宽调整稳压,输出稳定的12v直流电压,通过开关转换供给半导体制冷制热器件,达到制冷或加热的目的,并由温控开关进行过热保护。

下面通过附图对本实用新型作详细描述。

图1为本实用新型的电路原理图;

图2为本实用新型电路中有关各点工作电压波形图;

图3、图4为本实用新型结构图。

V+为电路供电端正极,V-为供电端负极,是系统地,在供电端正极V+与系统地V-之间串接有单向导通保护二极管D2、限流电阻R1和稳压二极管Z1组成的第一回路,其中二极管D2的阳极与V+相连,Z1的阴极与限流电阻R1的连接点形成系统工作供电电源VE1,电容C2为VE1的滤波电容。单向导通保护二极管D1之阳极与供电端正极V+相连,阳极与滤波电感L1相连,L1的另一端与系统地V-之间并接滤波电容C1和C3,L1与C1、C3的接点形成系统供电电源VE2。本电路包括二个电压比较器IC1,IC2,它们均以通常方式供电电源VE1和系统地V-相连。

电阻R3和R4串联后串接于供电电源VE和系统地V-之间,电阻R3和R4之接点与电压比较器IC1之反向输入端20相连,提供比较器基准电压。

在供电电源VE1和系统地V-之间还串接有以电阻R6和电容C4组成的串接充电回路,R6与C4之接点与IC1的正向输入端10和IC2的正向输入端40相接,其充电时间常数t=R6C4。IC1的输出端30接上拉电阻R2并与NPN型三极管N1基极相连,N1之发射极与系统地V-相接,集电极与电阻R5相接,R5的另一端与IC1和IC2的正向输端10和40相连,形成一个由电压比较器IC1之输出端30控制的开关管,完成对电压比较器IC1之正向输入端10和IC2之正向输入端40通过放电电阻R5的放电控制。

电压比较器的反向输入端50与系统地V-之间并接有一个由电阻R8和电容C6并联RC网络,其输出端60接上拉电阻R7至VE1,电容C5到系统地V-,并与场效就管T1的栅极相连接。

场效应管T1是一个P沟道增强型场效应管,其漏极与系统地相连,源极与供电电源VE2间接续流二极管D3,其导通率大小决定输出电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汤国安;曾国建;刘爱国,未经汤国安;曾国建;刘爱国许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98230797.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top