[实用新型]半导体冷热箱无效
申请号: | 98230797.7 | 申请日: | 1998-05-28 |
公开(公告)号: | CN2331924Y | 公开(公告)日: | 1999-08-04 |
发明(设计)人: | 汤国安;曾国建;刘爱国 | 申请(专利权)人: | 汤国安;曾国建;刘爱国 |
主分类号: | F25D3/00 | 分类号: | F25D3/00 |
代理公司: | 株洲市专利事务所 | 代理人: | 毛华学 |
地址: | 412007 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 冷热 | ||
半导体制冷制热器件正为越来越多的人所认识,利用它制造制冷制热工业用品也有过尝试,但现有的车用半导体制冷制热产品由于汽车蓄电池输出电压波动大而导致器件工作不稳定,容易损坏,从而给使用者带来不便和损失。
本实用新型的目的在于提供一种半导体冷热箱,它不使用化学制冷剂,体积适中,耗电省,运行安全平稳,在室温下能快速制冷或制热,符合环保要求,给使用者带来方便。
为达到本实用新型的目的采用的技术方案是:对输入的12v~24v范围蓄电池供电直流电源进行脉宽调整稳压,输出稳定的12v直流电压,通过开关转换供给半导体制冷制热器件,达到制冷或加热的目的,并由温控开关进行过热保护。
下面通过附图对本实用新型作详细描述。
图1为本实用新型的电路原理图;
图2为本实用新型电路中有关各点工作电压波形图;
图3、图4为本实用新型结构图。
V+为电路供电端正极,V-为供电端负极,是系统地,在供电端正极V+与系统地V-之间串接有单向导通保护二极管D2、限流电阻R1和稳压二极管Z1组成的第一回路,其中二极管D2的阳极与V+相连,Z1的阴极与限流电阻R1的连接点形成系统工作供电电源VE1,电容C2为VE1的滤波电容。单向导通保护二极管D1之阳极与供电端正极V+相连,阳极与滤波电感L1相连,L1的另一端与系统地V-之间并接滤波电容C1和C3,L1与C1、C3的接点形成系统供电电源VE2。本电路包括二个电压比较器IC1,IC2,它们均以通常方式供电电源VE1和系统地V-相连。
电阻R3和R4串联后串接于供电电源VE和系统地V-之间,电阻R3和R4之接点与电压比较器IC1之反向输入端20相连,提供比较器基准电压。
在供电电源VE1和系统地V-之间还串接有以电阻R6和电容C4组成的串接充电回路,R6与C4之接点与IC1的正向输入端10和IC2的正向输入端40相接,其充电时间常数t=R6C4。IC1的输出端30接上拉电阻R2并与NPN型三极管N1基极相连,N1之发射极与系统地V-相接,集电极与电阻R5相接,R5的另一端与IC1和IC2的正向输端10和40相连,形成一个由电压比较器IC1之输出端30控制的开关管,完成对电压比较器IC1之正向输入端10和IC2之正向输入端40通过放电电阻R5的放电控制。
电压比较器的反向输入端50与系统地V-之间并接有一个由电阻R8和电容C6并联RC网络,其输出端60接上拉电阻R7至VE1,电容C5到系统地V-,并与场效就管T1的栅极相连接。
场效应管T1是一个P沟道增强型场效应管,其漏极与系统地相连,源极与供电电源VE2间接续流二极管D3,其导通率大小决定输出电压。
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