[发明专利]磁记录介质和磁记录/重放方法

权利要求书

1．一种磁记录介质，包括由含有铁和铝的结晶合金组成的记录材料，通过加热所述材料能够从无序相转变成有序相，所述记录材料在无序相具有至少45emu/g的饱和磁化强度，其比在有序相的饱和磁化强度至少高35emu/g。

2．根据权利要求1的磁记录介质，其中，所述记录材料具有的无序相时的饱和磁化强度与有序相时的饱和磁化强度的比例至少是2/1。

3．一种磁记录介质，包括由含有铁和铝的结晶合金组成的记录材料，其中，利用透射电子显微术在明场图象中可观察到暗区，暗区所占面积比例是15～60％。

4．一种磁记录介质，包括由含有铁和铝的结晶合金组成的记录材料，其中，利用透射电子显微术在明场图象中可观察到暗区，暗区宽度为10～200nm。

5．根据权利要求4的磁记录介质，其中，在所述记录材料的明场图象中，暗区所占面积比例是15～60％。

6．根据权利要求3～5中任一项的磁记录介质，其中，可确定在暗区中存在Fe₃Al型晶格。

7．根据权利要求1～6中任一项的磁记录介质，其中，在所述记录材料中，铁和铝的总量至少是90at％，Al/(Fe+Al)的原子比范围是0.30～0.45。

8．一种磁记录介质，包括由含有铁和铝的结晶合金组成的记录材料，其中，铁和铝的总量至少是90at％,Al/(Fe+Al)的原子比范围是0.30～0.45。

9．根据权利要求7或8的磁记录介质，其中，所述记录材料中的铝由M^Ⅰ置换，M^Ⅰ是选自下列集合中的至少一种元素：硅、锗、锡、锑、铋、钼、钨、铌、钽、钛、锆和铪，M^Ⅰ在所述记录材料中的含量最高达10at％。

10．根据权利要求7～9中任一项的磁记录介质，其中，所述记录材料中的铁由M^Ⅱ置换，M^Ⅱ是选自下列集合中的至少一种元素：钴、镍、锰、铬、钒和铜，M^Ⅱ在所述记录材料中的含量最高达20at％。

11．根据权利要求7～10中任一项的磁记录介质，其中，所述记录材料还包含最高达10at％的M^Ⅲ,M^Ⅲ是选自硼、碳、氮和磷中的至少一种元素。

12．根据权利要求3～11中任一项的磁记录介质，其中，所述记录材料具有至少45emu/g的饱和磁化强度，通过加热其饱和磁化强度降低至少35emu/g。

13．根据权利要求3～12中任一项的磁记录介质，其中，所述记录材料具有的加热前饱和磁化强度与加热后饱和磁化强度的比例至少是2/1。

14．根据权利要求1～13中任一项的磁记录介质，其中，所述记录材料是扁平颗粒的粉末。

15．根据权利要求1～14中任一项的磁记录介质，该介质是磁卡，包括树脂型基片和位于其上的包含所述记录材料的不可逆记录层。

16．一种对权利要求1～15中任一项的磁记录介质进行写入和读出的方法，其中，

通过利用热头或激光束，对至少部分的记录材料加热而进行写入，以不可逆的方式改变记录材料的饱和磁化强度。

17．根据权利要求16的方法，其中，写入之后，通过检测记录材料的磁化强度而进行读出。

18．根据权利要求16的方法，其中，写入之后，通过对磁性材料施加直流磁场，然后从记录材料检测磁通量，由此进行读出。

19．根据权利要求16的方法，其中，写入之后，通过对磁性材料施加直流磁场，同时检测记录材料的磁化强度，由此进行读出。