[发明专利]磁记录介质和磁记录/重放方法

说明书

本发明涉及磁记录介质、特别是磁卡以及对这种磁记录介质写入和读出数据的方法。

近年来，磁卡在各种领域得到广泛的应用。特别是，磁卡在例如可重写或预付卡方面的应用不断扩大，其中钱款信息被记录为信息的磁性比特，从而可以根据每次的消费减少钱款数量。

在这种应用中，如果未能彻底地保护磁卡，避免由非法更改记录数据带来的假冒问题或磁卡易于伪造，则磁卡系统的安全性将受到致命的损害。极为需要磁卡具有防止非法更改记录数据的保护功能。为了满足这种需要，已经提出了各种磁卡并实际使用。例如，如果在磁卡上局部地设置特殊材料区，则将难以伪造而且可以通过检测该特殊区来鉴定其真伪。具有复合层构造的磁卡也是已知的。

这些其中内置保护功能的磁卡难以被造假或复制成大量的伪造卡。但是仍旧存在这样的可能性，即通过非法更改例如重写钱款信息，把已经消费完的磁卡中的钱款信息恢复为初始信息。一种对策是根据使用次数在卡上打孔，尽管这样也会产生多种问题，即不能期望有准确的一致性，打过孔的卡碎屑被废弃，并有可能通过回填那些孔而被修复。另一种可能的对策是利用温度自记录来记录对应于使用次数的可见数据。但是，载有可见数据的这些卡易于被沾污，因为可见数据必须进行光学读取。对于可见数据来说很容易伪造记录。另一个问题是光学读取器通常较昂贵。就有效地防止伪造而言还没有实用的办法。

因此，本发明的目的在于提供一种磁记录介质，能够有效地防止通过非法更改记录信息进行伪造，并提供一种对该磁记录介质记录和读取数据的方法。

利用以下构成(1)～(19)中的任一项可以实现上述及其它目的。

(1)一种磁记录介质，包括由含有铁和铝的结晶合金组成的记录材料，通过加热该材料能够从无序相转变成有序相，所述记录材料在无序相具有至少45emu/g的饱和磁化强度，其比在有序相的饱和磁化强度至少高35emu/g。

(2)根据(1)的磁记录介质，其中，所述记录材料具有的无序相时的饱和磁化强度与有序相时的饱和磁化强度的比例至少是2/1。

(3)一种磁记录介质，包括由含有铁和铝的结晶合金组成的记录材料，其中，利用透射电子显微术在明场图象中可观察到暗区，暗区所占面积比是15～60％。

(4)一种磁记录介质，包括由含有铁和铝的结晶合金组成的记录材料，其中，利用透射电子显微术在明场图象中可观察到暗区，暗区宽度为10～200nm。

(5)根据(4)的磁记录介质，其中，在所述记录材料的明场图象中，暗区所占面积比是15～60％。

(6)根据(3)～(5)中任一项的磁记录介质，其中，可确定在暗区中存在Fe₃Al型晶格。

(7)根据(1)～(6)中任一项的磁记录介质，其中，在所述记录材料中，铁和铝的总量至少是90at％,Al/(Fe+Al)的原子比范围是0.30～0.45。

(8)一种磁记录介质，包括由含有铁和铝的结晶合金组成的记录材料，其中，铁和铝的总量至少是90at％,Al/(Fe+Al)的原子比范围是0.30～0.45。

(9)根据(7)或(8)的磁记录介质，其中，所述记录材料中的铝由M^Ⅰ置换，M^Ⅰ是选自下列集合中的至少一种元素：硅、锗、锡、锑、铋、钼、钨、铌、钽、钛、锆和铪，M^Ⅰ在所述记录材料中的含量最高达10at％。

(10)根据(7)～(9)中任一项的磁记录介质，其中，所述记录材料中的铁由M^Ⅱ置换，M^Ⅱ是选自下列集合中的至少一种元素：钴、镍、锰、铬、钒和铜，M^Ⅱ在所述记录材料中的含量最高达20at％。

(11)根据(7)～(10)中任一项的磁记录介质，其中，所述记录材料还包含最高达10at％的M^Ⅲ,M^Ⅲ是选自硼、碳、氮和磷中的至少一种元素。

(12)根据(3)～(11)中任一项的磁记录介质，其中，所述记录材料具有至少45emu/g的饱和磁化强度，通过加热其饱和磁化强度至少降低35emu/g。

(13)根据(3)～(12)中任一项的磁记录介质，其中，所述记录材料具有的加热前饱和磁化强度与加热后饱和磁化强度的比例至少是2/1。

(14)根据(1)～(13)中任一项的磁记录介质，其中，所述记录材料是扁平颗粒的粉末。