[发明专利]声界面波器件及其制造方法有效
| 申请号： | 98800584.0 | 申请日： | 1998-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN1225760A | 公开（公告）日： | 1999-08-11 |
| 发明（设计）人： | 三岛直之 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H03H9/25;H03H9/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 赵国华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 界面 器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1．一种声界面波器件，其特征在于包括：
压电性的第一基体；
形成于所述第一基体主面、激励声波的电极；
形成于所述第一基体主面上以覆盖所述电极并保持平滑表面的电介质膜；以及
粘合在所述电介质膜表面上的Si类第二基体。
2．一种声界面波器件制造方法，其特征在于包括：
(a)在压电性第一基体的主面上形成激励声波的电极的工序；
(b)在形成有所述电极的第一基体主面上形成电介质膜的工序；
(c)使所述第一基体主面上形成的电介质膜表面平滑的工序；以及
(d)在所述经平滑处理的电介质膜的表面粘合Si类第二基体的工序。
3．如权利要求2所述的声界面波器件制造方法，其特征在于，(b)工序中电介质膜形成得比电极厚，而且(c)工序中电介质膜表面平滑至电极未露出表面。
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