[发明专利]声界面波器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种可用于例如TV、便携电话和PHS等当中滤波元件或振荡器的声界面波器件及其制造方法。

背景技术

作为声波应用器件之一，以往众所周知有声表面波器件(SAW器件：Surface Acoustic Wave Device)。这种SAW器件可用于对例如45MHz～2GHz频带区内的无线信号进行处理的装置中的各种电路，例如发送用带通滤波器、接收用带通滤波器、本机振荡滤波器、天线共用器、IF滤波器和FM调制器等。

图8示出该SAW器件的基本构成。SAW器件如图所示，在LiNbO₃等压电性基片100上设置通过蚀刻等对Al薄膜等金属材料加工形成的梳齿状电极(IDT:Interdigital Transducer叉指式换能器)101、102来构成。而IDT101一旦加上高频电信号，便由压电性基片100表面激励SAW103。激励的SAW103在压电性基片100表面传输到达IDT102，在IDT102处再次变换为电信号。

但SAW器件为了利用固体表面与真空或气体的边界面即固体表面所传输的声波，需要将传输介质即压电性基片表面做成自由表面。因而，对于SAW器件来说，不可能用例如半导体封装所用的那种塑料热模来覆盖芯片，需要在封装内部设置中空部分，以确保自由表面。

但形成为封装内部设置中空部分的结构的话，便存在器件相对较贵且大型这种问题。

因此，本申请发明人提出一种具有与SAW器件相同功能、容易小型化并且容易降低成本的声界面波器件。这种声界面波器件例如通过压电性基片和Si基片粘合以夹住梳齿状电极来构成。本发明试图对这种声界面波器件作一下改进。

也就是说，本发明第一目的在于，提供一种可以使声界面波器件中电极所激励的声波的变换效率提高的声界面波器件及其制造方法。

本发明第二目的在于，提供一种可以避免电极间寄生电阻影响的声界面波器件及其制造方法。

发明概述

为了解决上述课题，权项1的本发明声界面波器件，包括：压电性的第一基体；形成于所述第一基体主面、激励声波的电极；形成于所述第一基体主面上以覆盖所述电极并保持平滑表面的电介质膜；以及粘合在所述电介质膜表面上的Si类第二基体。

权项2记载的本发明的声界面波器件制造方法，包括：(a)在压电性第一基体的主面上形成激励声波的电极的工序；(b)在形成有所述电极的第一基体主面上形成电介质膜的工序；(c)使所述第一基体主面上形成的电介质膜表面平滑的工序；以及(d)在所述经平滑处理的电介质膜的表面粘合Si类第二基体的工序。

权项3记载的本发明的声界面波器件制造方法，所述(b)工序中电介质膜形成得比电极厚，而且所述(c)工序中电介质膜表面平滑至电极未露出表面。

附图简要说明

图1是示意本发明一实施例声界面波器件构成的分解立体图。图2是图1沿A-A方向的平面图。

图3是说明本发明声界面波器件制造方法一实施例用的工序图。

图4是本发明声界面波器件其他制造方法的说明图。

图5是示意应用本发明声界面波器件的移动通信装置构成的框图。

图6是应用本发明声界面波器件的RF调制器的振荡电路的电路图。

图7是本发明课题的说明图。

图8示出的是现有SAW器件的基本构成。

实施发明的最佳方式

声界面波器件，一般认为是通过在例如Si基片表面上形成Al电极后，再形成电介质膜，将电介质膜埋设于Al电极间的同时，还进行研磨直到有Al电极露出，在其上面粘合压电性基片来制造的，但这种场合存在以下问题。

具体来说，如图7所示，通常研磨Al电极10时，Al等金属膜比SiO₂膜11软，因而Al电极10表面产生低洼部。这种低洼部大小相对于5μm左右的Al电极宽度a为大约30nm量级。若象这样有低洼部，与所粘合的压电性基片12之间便产生空隙13。而且，这种空隙13使得Al电极10与压电性基片12无法紧贴，使Al电极10激励的声波的变换效率下降。