[发明专利]半导体及其有关方法无效

专利信息
申请号: 98802982.0 申请日: 1998-03-04
公开(公告)号: CN1249848A 公开(公告)日: 2000-04-05
发明(设计)人: H·舍丁;A·瑟德尔贝里;N·厄格伦;I·哈姆贝里;D·奥洛夫松;K·安德森 申请(专利权)人: 艾利森电话股份有限公司
主分类号: H01L21/266 分类号: H01L21/266;H01L21/22;H01L21/8222;H01L21/8249;H01L29/73;H01L21/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李亚非
地址: 瑞典斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 及其 有关 方法
【权利要求书】:

1.制造半导体元件的一种方法,所述半导体元件的载流衬底(1;1′)具有至少一个n+掺杂部位和/或至少一个P+掺杂部位,其中至少一个形状可以选定的部位(11′;11″)由可高度精确加以界定、厚度大到不会为掺杂剂离子所穿透的材料或混合料制成,淀积在元件上起界定一个或多个掺杂部位的作用,然后经过至少一次下列一系列步骤的处理:

敷上掩模层(19,23;33′)以界定元件应掺杂的部位,掩模在所选形状部位(11′;11″)的一部分上延伸开,且厚到掺杂剂离子透不过去的程度;

令元件暴露在所要求类型的掺杂剂中;

除去掩模;

其特征在于,形状可选择的部位(11′;11″)不是有源元件经过这些步骤之后得出的部分。

2.制造半导体元件的一种方法,所述半导体元件的载流衬底(1;1′)具有至少一个n+掺杂部位和/或至少一个P+掺杂部位,其中至少一个形状可加以选择的部位(11′;11″)由可高度精确加以界定、厚度大到不会为掺杂剂离子所穿透的材料或混合料制成,淀积在元件上起界定一个或多个掺杂部位的作用,然后经过至少一次下列一系列步骤的处理:

敷上掩模层(19,23;33′)以界定元件应掺杂的部位,掩模在所选形状部位(11′;11″)的一部分上延伸开,且厚到掺杂剂离子透不过去的程度;

令元件暴露在所要求类型的掺杂剂中;

除去掩模;

其特征在于,待掺杂的一个或多个部位为双极晶体管的基极和/或发射极。

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,它在元件暴露在掺杂剂之后但掩模除去之前还包括下列步骤:

氧化元件以产生氧化层(31′),氧化层(31′)厚到掺杂剂不能将其它完全穿透的程度;

除去掩模层(33′);

将元件暴露在所要求的掺杂剂中,掺杂剂最好是与第一种掺杂剂极性相反的那一种。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,掩模层(33′)由Si3N4组成,淀积在元件上,然后用传统的掩蔽技术除去多余的部分。

5.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述一系列步骤进行至少两次,一次是产生n+掺杂部位(21;45),一次是在元件上产生P+掺杂部位(25;41)。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,将某一部位在淀积氧化层(31)之前掺以第一种掺杂剂(P或n),在掩模(33′)除去之后掺以类型相反的掺杂剂(n或P)。

7.如权利要求5或6所述的方法,其特征在于,n+掺杂或P+掺杂的部位构成双极晶体管的基极,另一部位构成同一双极晶体管的发射极。

8.如1-7任一权利要求所述的方法,其特征在于,它适用于载流衬底层(1;101)由掺以与集电极部位(3;103)同类型但掺量不同的掺杂剂的硅组成的元件。

9.如1-7任一权利要求所述的方法,其特征在于,它适用于载流衬底层(1)由半导体层(101A)组成、掺以类型与集电极部位(3;103′)相反的掺杂剂的元件。

10.如1-7任一权利要求所述的方法,其特征在于,它适用于载流衬底层由绝缘层(111A)组成的元件。

11.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,它适用于载流衬底层(1)由位于半导体层(101A)或绝缘层(111A)与集电层(103′,103″)之间且掺以与集电层(103′;103″)同类型但剂量不同的掺杂剂的半导体层(101B;111B)组成的元件。

12.如权利要求10或11所述的方法,其特征在于,它适用于载流衬底层(1)中使用的绝缘体为SiO2的元件。

13.如以上任一权利要求所述的方法,其特征在于,形状可选择的部位(11′;11″)由多晶硅层组成。

14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,形状可选择的部位(11′;11″)由硅化物层组成。

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