[发明专利]半导体及其有关方法无效
申请号: | 98802982.0 | 申请日: | 1998-03-04 |
公开(公告)号: | CN1249848A | 公开(公告)日: | 2000-04-05 |
发明(设计)人: | H·舍丁;A·瑟德尔贝里;N·厄格伦;I·哈姆贝里;D·奥洛夫松;K·安德森 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/266 | 分类号: | H01L21/266;H01L21/22;H01L21/8222;H01L21/8249;H01L29/73;H01L21/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李亚非 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 及其 有关 方法 | ||
1.制造半导体元件的一种方法,所述半导体元件的载流衬底(1;1′)具有至少一个n+掺杂部位和/或至少一个P+掺杂部位,其中至少一个形状可以选定的部位(11′;11″)由可高度精确加以界定、厚度大到不会为掺杂剂离子所穿透的材料或混合料制成,淀积在元件上起界定一个或多个掺杂部位的作用,然后经过至少一次下列一系列步骤的处理:
敷上掩模层(19,23;33′)以界定元件应掺杂的部位,掩模在所选形状部位(11′;11″)的一部分上延伸开,且厚到掺杂剂离子透不过去的程度;
令元件暴露在所要求类型的掺杂剂中;
除去掩模;
其特征在于,形状可选择的部位(11′;11″)不是有源元件经过这些步骤之后得出的部分。
2.制造半导体元件的一种方法,所述半导体元件的载流衬底(1;1′)具有至少一个n+掺杂部位和/或至少一个P+掺杂部位,其中至少一个形状可加以选择的部位(11′;11″)由可高度精确加以界定、厚度大到不会为掺杂剂离子所穿透的材料或混合料制成,淀积在元件上起界定一个或多个掺杂部位的作用,然后经过至少一次下列一系列步骤的处理:
敷上掩模层(19,23;33′)以界定元件应掺杂的部位,掩模在所选形状部位(11′;11″)的一部分上延伸开,且厚到掺杂剂离子透不过去的程度;
令元件暴露在所要求类型的掺杂剂中;
除去掩模;
其特征在于,待掺杂的一个或多个部位为双极晶体管的基极和/或发射极。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,它在元件暴露在掺杂剂之后但掩模除去之前还包括下列步骤:
氧化元件以产生氧化层(31′),氧化层(31′)厚到掺杂剂不能将其它完全穿透的程度;
除去掩模层(33′);
将元件暴露在所要求的掺杂剂中,掺杂剂最好是与第一种掺杂剂极性相反的那一种。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,掩模层(33′)由Si3N4组成,淀积在元件上,然后用传统的掩蔽技术除去多余的部分。
5.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述一系列步骤进行至少两次,一次是产生n+掺杂部位(21;45),一次是在元件上产生P+掺杂部位(25;41)。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,将某一部位在淀积氧化层(31)之前掺以第一种掺杂剂(P或n),在掩模(33′)除去之后掺以类型相反的掺杂剂(n或P)。
7.如权利要求5或6所述的方法,其特征在于,n+掺杂或P+掺杂的部位构成双极晶体管的基极,另一部位构成同一双极晶体管的发射极。
8.如1-7任一权利要求所述的方法,其特征在于,它适用于载流衬底层(1;101)由掺以与集电极部位(3;103)同类型但掺量不同的掺杂剂的硅组成的元件。
9.如1-7任一权利要求所述的方法,其特征在于,它适用于载流衬底层(1)由半导体层(101A)组成、掺以类型与集电极部位(3;103′)相反的掺杂剂的元件。
10.如1-7任一权利要求所述的方法,其特征在于,它适用于载流衬底层由绝缘层(111A)组成的元件。
11.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,它适用于载流衬底层(1)由位于半导体层(101A)或绝缘层(111A)与集电层(103′,103″)之间且掺以与集电层(103′;103″)同类型但剂量不同的掺杂剂的半导体层(101B;111B)组成的元件。
12.如权利要求10或11所述的方法,其特征在于,它适用于载流衬底层(1)中使用的绝缘体为SiO2的元件。
13.如以上任一权利要求所述的方法,其特征在于,形状可选择的部位(11′;11″)由多晶硅层组成。
14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,形状可选择的部位(11′;11″)由硅化物层组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造