[发明专利]半导体及其有关方法

权利要求书

1.制造半导体元件的一种方法，所述半导体元件的载流衬底(1；1′)具有至少一个n⁺掺杂部位和/或至少一个P⁺掺杂部位，其中至少一个形状可以选定的部位(11′；11″)由可高度精确加以界定、厚度大到不会为掺杂剂离子所穿透的材料或混合料制成，淀积在元件上起界定一个或多个掺杂部位的作用，然后经过至少一次下列一系列步骤的处理：

敷上掩模层(19，23；33′)以界定元件应掺杂的部位，掩模在所选形状部位(11′；11″)的一部分上延伸开，且厚到掺杂剂离子透不过去的程度；

令元件暴露在所要求类型的掺杂剂中；

除去掩模；

其特征在于，形状可选择的部位(11′；11″)不是有源元件经过这些步骤之后得出的部分。

2.制造半导体元件的一种方法，所述半导体元件的载流衬底(1；1′)具有至少一个n⁺掺杂部位和/或至少一个P⁺掺杂部位，其中至少一个形状可加以选择的部位(11′；11″)由可高度精确加以界定、厚度大到不会为掺杂剂离子所穿透的材料或混合料制成，淀积在元件上起界定一个或多个掺杂部位的作用，然后经过至少一次下列一系列步骤的处理：

敷上掩模层(19，23；33′)以界定元件应掺杂的部位，掩模在所选形状部位(11′；11″)的一部分上延伸开，且厚到掺杂剂离子透不过去的程度；

令元件暴露在所要求类型的掺杂剂中；

除去掩模；

其特征在于，待掺杂的一个或多个部位为双极晶体管的基极和/或发射极。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，它在元件暴露在掺杂剂之后但掩模除去之前还包括下列步骤：

氧化元件以产生氧化层(31′)，氧化层(31′)厚到掺杂剂不能将其它完全穿透的程度；

除去掩模层(33′)；

将元件暴露在所要求的掺杂剂中，掺杂剂最好是与第一种掺杂剂极性相反的那一种。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，掩模层(33′)由Si₃N₄组成，淀积在元件上，然后用传统的掩蔽技术除去多余的部分。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述一系列步骤进行至少两次，一次是产生n⁺掺杂部位(21；45)，一次是在元件上产生P⁺掺杂部位(25；41)。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，将某一部位在淀积氧化层(31)之前掺以第一种掺杂剂(P或n)，在掩模(33′)除去之后掺以类型相反的掺杂剂(n或P)。

7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，n⁺掺杂或P⁺掺杂的部位构成双极晶体管的基极，另一部位构成同一双极晶体管的发射极。

8.如1-7任一权利要求所述的方法，其特征在于，它适用于载流衬底层(1；101)由掺以与集电极部位(3；103)同类型但掺量不同的掺杂剂的硅组成的元件。

9.如1-7任一权利要求所述的方法，其特征在于，它适用于载流衬底层(1)由半导体层(101A)组成、掺以类型与集电极部位(3；103′)相反的掺杂剂的元件。

10.如1-7任一权利要求所述的方法，其特征在于，它适用于载流衬底层由绝缘层(111A)组成的元件。

11.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，它适用于载流衬底层(1)由位于半导体层(101A)或绝缘层(111A)与集电层(103′，103″)之间且掺以与集电层(103′；103″)同类型但剂量不同的掺杂剂的半导体层(101B；111B)组成的元件。

12.如权利要求10或11所述的方法，其特征在于，它适用于载流衬底层(1)中使用的绝缘体为SiO₂的元件。

13.如以上任一权利要求所述的方法，其特征在于，形状可选择的部位(11′；11″)由多晶硅层组成。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，形状可选择的部位(11′；11″)由硅化物层组成。