[发明专利]非易失性存储器单元的精确编程

权利要求书

1.集成电路存储器系统，包括：

控制装置，控制所述集成电路存储器系统的操作；

多个存储器单元，各存储器单元包括源、漏、控制栅和浮栅，所述浮栅能够存储电荷，通过向所述浮栅注入电荷热载流子可对所述存储器单元编程；和

电路装置，响应于所述控制装置，在存储器单元的编程期间，对所述源、漏和控制栅反复地施加电压和控制在所述源与漏之间流动的电流，以便精确地控制存储于所述浮栅上的电荷量。

2.用于对有多个存储器单元的集成电路存储器系统中的存储器单元编程的方法，各所述的存储器单元包括源、漏、控制栅和浮栅，所述浮栅能够存储电荷，通过热载流子注入可对所述存储器单元编程，对所述存储器单元编程的方法包括：

对所述源、漏和控制栅反复地施加电压并控制在存储器单元的所述源与漏之间流动的电流，以便精确地控制存储于所述浮栅上的电荷量。

3.如权利要求1所述的系统，其中所述电路装置在所选择的多个存储器单元上进行操作，以便所述选择的多个存储器单元在所选的行中并编程设计为组，并且其中所述电路装置包括多个控制块，在编程期间，所述多个控制块之一与所述选择的多个存储器单元之一连接。

4.如权利要求3所述的系统，其中在所述选择行中的各存储器单元有分别与所述电路装置共同地连接的源和控制栅，在列中的各存储器单元有与所述电路装置共同地连接的所述漏。

5.如权利要求3所述的系统，其中在所述选择行中的各存储器单元有与所述电路装置共同地连接的所述控制栅，在列中的各存储器单元有分别与所述电路装置连接的所述源和所述漏。

6.如权利要求1所述的系统，其中所述电路装置与存储于所述存储器单元中的任何电荷无关地控制所述存储器单元的所述源与漏之间的所述电流。

7.集成电路存储器系统，包括：

系统控制块；

存储器单元阵列，各存储器单元有第一端子、第二端子、控制栅和浮栅，所述浮栅能够存储电荷，所述存储器单元通过对所述浮栅进行电荷的热载流子注入可进行编程；

与所选的存储器单元的所述第一端子连接的第一控制块；

与所述存储器单元的所述第二端子连接的第二控制块；和

与所述存储器单元的所述控制栅连接的第三控制块；

响应于所述系统控制块，在所述存储器单元的迭代编程期间，所述第一、第二和第三控制块共同控制在所述第一端子和所述第二端子之间流动的电流，以便精确地控制存储于所述浮栅上的电荷量。

8.如权利要求7所述的系统，其中所述第一、第二和第三控制块在所选的多个存储器单元上进行操作，以便所述选择的多个存储器单元被编程设计为组，并且其中按行和列排列所述多个存储器单元，所述选择的多个存储器单元包括在所选行中的所选单元。

9.如权利要求8所述的系统，其中在行中的各存储器单元有共同地与所述第一控制块连接的所述第一端子，和共同地与所述第三控制块连接的所述控制栅，在列中的各存储器单元有共同地与所述第二控制块连接的所述第二端子。

10.如权利要求8所述的系统，其中在行中的各存储器单元有共同地与所述第三控制块连接的控制栅，在列中的各存储器单元有共同地与所述第一控制块连接的所述第一端子，和有共同地与所述第二控制块连接的所述第二端子。

11.如权利要求7所述的系统，其中所述第一、第二和第三控制块与所述存储器单元中的任何电荷无关地控制在所述存储器单元的所述第一端子与第二端子之间的所述电流。

12.如权利要求7所述的系统，其中所述第二控制块包括：

与所述存储器单元的所述第二端子连接的电流控制电路，在编程期间该电流控制电路驱动控制电流通过所述存储器单元。

13.如权利要求12所述的系统，还包括：

产生基准电压并相应于控制信号设置所述基准电压的幅值的基准电压块；并且

其中所述的第二控制块包括：

电压比较器，与所述基准电压块和所述电流控制电路连接，以便响应于在所述存储器单元的所述第二端子的电压，相对于所述基准电压，设置所述电压比较器为两个可能的逻辑状态之一；

由此可精确地编程设计存储于所述存储器单元中的电荷量。